有源滤波器低开关损耗补偿电流调制方法

    公开(公告)号:CN104600701B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201410306600.0

    申请日:2014-07-01

    IPC分类号: H02J3/01

    摘要: 有源滤波器低开关损耗电路结构及补偿电流调制方法属于三相有源滤波技术领域,尤其涉及一种有源滤波器低开关损耗电路结构及补偿电流调制方法。本发明提供一种补偿精度好的有源滤波器低开关损耗电路结构及补偿电流调制方法。本发明有源滤波器低开关损耗电路结构包括IGBT三相逆变桥、MOSFET三相逆变桥和电容,其结构要点IGBT三相逆变桥包括第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第五IGBT、第六IGBT,MOSFET三相逆变桥包括第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET、第五MOSFET、第六MOSFET。

    有源滤波器低开关损耗电路结构及补偿电流调制方法

    公开(公告)号:CN104600701A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201410306600.0

    申请日:2014-07-01

    IPC分类号: H02J3/01

    CPC分类号: H02J3/01

    摘要: 有源滤波器低开关损耗电路结构及补偿电流调制方法属于三相有源滤波技术领域,尤其涉及一种有源滤波器低开关损耗电路结构及补偿电流调制方法。本发明提供一种补偿精度好的有源滤波器低开关损耗电路结构及补偿电流调制方法。本发明有源滤波器低开关损耗电路结构包括IGBT三相逆变桥、MOSFET三相逆变桥和电容,其结构要点IGBT三相逆变桥包括第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第五IGBT、第六IGBT,MOSFET三相逆变桥包括第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET、第五MOSFET、第六MOSFET。