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公开(公告)号：CN107135636B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710333857.9
申请日：2017-05-12
Applicant: 国网上海市电力公司 , 上海高试电气科技有限公司 , 上海交通大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法，该方法将正方形截面金属屏蔽槽等效为同材料等周长的圆截面金属屏蔽管，采用轴对称屏蔽管的极低频磁场屏蔽率简化估算所述正方形截面金属屏蔽槽的极低频磁场屏蔽率，获取符合设定极低频磁场屏蔽率的正方形截面金属屏蔽槽的材料与尺寸。与现有技术相比，本发明具有提高正方形截面屏蔽槽设计效率等优点，并可使金属屏蔽槽的实际屏蔽率和设计屏蔽率之间的偏差达到5％以内。
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公开(公告)号：CN107135636A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710333857.9
申请日：2017-05-12
Applicant: 国网上海市电力公司 , 上海高试电气科技有限公司 , 上海交通大学
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/0049 , H05K9/0098
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法，该方法将正方形截面金属屏蔽槽等效为同材料等周长的圆截面金属屏蔽管，采用轴对称屏蔽管的极低频磁场屏蔽率简化估算所述正方形截面金属屏蔽槽的极低频磁场屏蔽率，获取符合设定极低频磁场屏蔽率的正方形截面金属屏蔽槽的材料与尺寸。与现有技术相比，本发明具有提高正方形截面屏蔽槽设计效率等优点，并可使金属屏蔽槽的实际屏蔽率和设计屏蔽率之间的偏差达到5％以内。
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公开(公告)号：CN107148206A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710333859.8
申请日：2017-05-12
Applicant: 国网上海市电力公司 , 上海高试电气科技有限公司
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/0049 , H05K9/0098
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽极低频磁场的矩形截面金属屏蔽槽设计方法，其特征在于，该方法将矩形截面金属屏蔽槽等效为同材料且边长等于所述矩形宽度的正方形截面金属屏蔽槽，通过对所述正方形截面金属屏蔽槽的分析获取符合设定极低频磁场屏蔽率的矩形截面金属屏蔽槽的材料与尺寸，所述矩形宽度为屏蔽槽横截面平行于磁场源布置方向的边的边长。与现有技术相比，本发明具有提高矩形截面屏蔽槽设计效率等优点，并可使矩形截面金属屏蔽槽的实际屏蔽率和设计屏蔽率之间的偏差可以达到5％以内。
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公开(公告)号：CN107148206B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710333859.8
申请日：2017-05-12
Applicant: 国网上海市电力公司 , 上海高试电气科技有限公司
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽极低频磁场的矩形截面金属屏蔽槽设计方法，其特征在于，该方法将矩形截面金属屏蔽槽等效为同材料且边长等于所述矩形宽度的正方形截面金属屏蔽槽，通过对所述正方形截面金属屏蔽槽的分析获取符合设定极低频磁场屏蔽率的矩形截面金属屏蔽槽的材料与尺寸，所述矩形宽度为屏蔽槽横截面平行于磁场源布置方向的边的边长。与现有技术相比，本发明具有提高矩形截面屏蔽槽设计效率等优点，并可使矩形截面金属屏蔽槽的实际屏蔽率和设计屏蔽率之间的偏差可以达到5％以内。
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