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公开(公告)号：CN117099173A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024443.7
申请日：2022-03-22
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: H01F1/059
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新的高频用磁性材料及其制造方法，其具有比铁氧体系磁性材料更高的导磁率，比金属系磁性材料更高的电阻率，因此解决了涡流损耗等问题。本发明使用对晶体结构和组成进行了调整的氮化物系磁性材料即稀土‑铁‑M‑氮系磁性材料(M为Ti、V、Mo、Nb、W、Si、Al、Mn、Cr中的至少一种)。
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