公开(公告)号：CN105122492A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480021859.9

申请日：2014-03-07

Applicant: 国立大学法人神户大学 ,  日本化药株式会社

Inventor： 上田裕清 ,  三崎雅裕 ,  滨田雅裕 ,  贞光雄一

IPC: H01L51/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055

Abstract: 本发明的目的是提供一种有机半导体薄膜形成方法和一种使用所述有机半导体薄膜的有机半导体装置制造方法。这种有机半导体薄膜制造方法涉及将具有凹部的模具设置在基板上的步骤以及将有机半导体溶液引入由所述凹部与所述基板形成的空隙中的步骤。