Patent search ap:("国立大学法人东京大学" OR "Pi-克瑞斯托株式会社") AND inv:"三谷真人" Page 1

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发明公开
含氧族元素的有机化合物、有机半导体材料、有机半导体膜和有机电力场效应晶体管无效

公开(公告)号：CN112638895A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980055254.4

申请日：2019-08-29

Applicant: 国立大学法人东京大学 , Pi-克瑞斯托株式会社

Inventor： 冈本敏宏 , 竹谷纯一 , 三谷真人 , 伊藤阳介 , 松室智纪

IPC: C07D333/50 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30

Abstract: 本发明提供一种具有优异的载流子迁移率的新型的含氧族元素的有机半导体化合物。其为由下式(1a)或式(1b)表示的化合物，[化学式1]在式(1a)和(1b)中，X表示S、O或Se，并且R1分别独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、芳基、芳烷基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基。

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