公开(公告)号：CN113840801A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202080005008.0

申请日：2020-04-24

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 徐建勋 ,  赵宇亮 ,  梁建波 ,  葛逸飞 ,  王鲁峰 ,  杨宜

IPC分类号： C01B32/184 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供一类在金属、非金属平面以及针尖基底表面大面积超快生长石墨烯的方法，所述金属基底优选为Fe、Ni、W等，非金属基底优选为玻璃、硅、氮化硅、高分子材料等。本发明针对不同材料的性质，利用脉冲电流、感应电流或汇聚微波能等作用于碳化后的基底材料，通过基底表面的电流原位产生大量的热，实现材料的瞬间淬火进而在材料表面生成大范围的连续单层或多层石墨烯。本发明所述方法，可在不耐受长时间高温的材料表面生长界面接触良好的石墨烯；本发明提供的方法可不受真空管式炉的尺寸限制，实现大尺寸基底材料上的石墨烯生长。本发明提供的石墨烯生长方法具有材料和环境适应范围广、快速、能耗低等特点。

公开(公告)号：CN113840801B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202080005008.0

申请日：2020-04-24

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 徐建勋 ,  赵宇亮 ,  梁建波 ,  葛逸飞 ,  王鲁峰 ,  杨宜

IPC分类号： C01B32/184 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供一类在金属、非金属平面以及针尖基底表面大面积超快生长石墨烯的方法，所述金属基底优选为Fe、Ni、W等，非金属基底优选为玻璃、硅、氮化硅、高分子材料等。本发明针对不同材料的性质，利用脉冲电流、感应电流或汇聚微波能等作用于碳化后的基底材料，通过基底表面的电流原位产生大量的热，实现材料的瞬间淬火进而在材料表面生成大范围的连续单层或多层石墨烯。本发明所述方法，可在不耐受长时间高温的材料表面生长界面接触良好的石墨烯；本发明提供的方法可不受真空管式炉的尺寸限制，实现大尺寸基底材料上的石墨烯生长。本发明提供的石墨烯生长方法具有材料和环境适应范围广、快速、能耗低等特点。