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公开(公告)号：CN104380399A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380020424.8
申请日：2013-04-15
CPC分类号： H01L43/12 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F41/32 , H01L43/10
摘要： 一种用于制造自旋注入器件(30)的方法，包括以下步骤：a)在衬底(10)的面(11)上形成金属保护层(22)以限制或者阻止所述面被环境氧化和/或污染，所述衬底的所述面为磁性的和导电的，所述保护层具有反磁性或顺磁性的性质；b)在所述保护层上形成上层(32)，所述上层(32)能够根据由所述衬底和/或所述衬底的所述面的磁性限定的幅度和自旋参考框架来促进所述保护层与所述上层之间的界面的费米能级附近的电子态的自旋偏离，所述上层为有机层，所述有机层的与所述保护层接触的一个或更多个分子位置具有由单一的磁性参考框架所表征的顺磁矩。
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公开(公告)号：CN104350555B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380025603.0
申请日：2013-04-15
CPC分类号： H01L43/12 , H01F1/0009 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F41/32 , H01L43/10
摘要： 一种电子过滤方法，使得费米能级处至少75％的电子传导电流被自旋极化，该方法与自旋极化电流源(2)一同使用，自旋极化电流源至少包括：包括有导电衬底(10)和有机层(20)的极化自旋注入器件,导电衬底(10)的第一面(11)具有磁特性并且有机层(20)与衬底的第一面接触；被称为接地(30)的导电材料，有机层被设置在接地与衬底之间；被电连接到衬底的第一面以及接地上的电流源(40)；所述方法包括借助于电流源使电子传导电流在高于‑220℃的温度下在衬底的第一面与接地之间流通。
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公开(公告)号：CN104380399B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380020424.8
申请日：2013-04-15
CPC分类号： H01L43/12 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F41/32 , H01L43/10
摘要： 一种用于制造自旋注入器件(30)的方法，包括以下步骤：a)在衬底(10)的面(11)上形成金属保护层(22)以限制或者阻止所述面被环境氧化和/或污染，所述衬底的所述面为磁性的和导电的，所述保护层具有反磁性或顺磁性的性质；b)在所述保护层上形成上层(32)，所述上层(32)能够根据由所述衬底和/或所述衬底的所述面的磁性限定的幅度和自旋参考框架来促进所述保护层与所述上层之间的界面的费米能级附近的电子态的自旋偏离，所述上层为有机层，所述有机层的与所述保护层接触的一个或更多个分子位置具有由单一的磁性参考框架所表征的顺磁矩。
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公开(公告)号：CN104350555A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380025603.0
申请日：2013-04-15
CPC分类号： H01L43/12 , H01F1/0009 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F41/32 , H01L43/10
摘要： 一种电子过滤方法，使得费米能级处至少75％的电子传导电流被自旋极化，该方法与自旋极化电流源(2)一同使用，自旋极化电流源至少包括：包括有导电衬底(10)和有机层(20)的极化自旋注入器件,导电衬底(10)的第一面(11)具有磁特性并且有机层(20)与衬底的第一面接触；被称为接地(30)的导电材料，有机层被设置在接地与衬底之间；被电连接到衬底的第一面以及接地上的电流源(40)；所述方法包括借助于电流源使电子传导电流在高于-220℃的温度下在衬底的第一面与接地之间流通。
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