公开(公告)号：CN110656314A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910914853.9

申请日：2019-09-26

Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司

Inventor： 王明 ,  纪红 ,  卢硕 ,  赵秀红 ,  孙爱斌 ,  苏乐 ,  张玉彪

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了属于磁控溅射技术领域的一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法，包括：将溅射用金属加工成形状规格相同的金属薄片，清洗干燥；将金属靶材安装在溅射靶枪上，调整靶枪角度，采用预溅射或划刻增大表面的摩擦力；将金属薄片放置在靶材上，根据合金纳米薄膜中金属元素的比例初步计算金属薄片的数量；按照磁控溅射仪的单靶溅射步骤在硅基片上沉积合金纳米薄膜并进行成分分析测试，对比实际与理论元素成分，调节金属薄片的数量。本发明采用单个金属靶材溅射的方法避免磁控共溅射中多靶共溅射过程中互相干扰，产生靶材灭弧现象，以及单靶合金靶材溅射过程中原子间碰撞拥挤，制备的合金纳米薄膜成分均匀、稳定，并且节约成本，效率大幅提高。