-
公开(公告)号：CN104909400A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410092484.7
申请日：2014-03-13
申请人： 四川瑞能硅材料有限公司
发明人： 吴梅
IPC分类号： C01G3/02 , C01B33/107 , C01B33/021
CPC分类号： Y02P20/584
摘要： 本发明提供了一种氯硅烷渣浆残液的处理系统与处理方法，该方法将氯硅烷渣浆残液进行固液分离，得到第一滤液和第一固相；将所述第一滤液进行分段蒸馏，得到四氯化硅粗品与六氯乙硅烷粗品；将所述第一固相与水混合，过滤，得到第二滤液与硅粉；将所述第二滤液与包含氨基的碱性物质混合，过滤，得到第三滤液与第二固相；将所述第三滤液加热，得到氢氧化铜。与现有技术相比，本发明通过固液分离，将氯硅烷与硅粉及金属氯化物杂质分开，通过四氯化硅与六氯乙硅烷沸点不同相分离，同时将金属氯化物中铜离子通过形成氨合铜离子与其他金属分离，从而可回收催化剂，处理方法简单，成本低，并且也减少了处理残液所耗费的碱液及水资源，大大减轻了环境压力。
-
公开(公告)号：CN102701209B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110075646.2
申请日：2011-03-28
申请人： 四川瑞能硅材料有限公司
IPC分类号： C01B33/03
摘要： 本发明实施例公开了一种多晶硅还原炉，包括炉体和底盘，所述底盘上具有多对均匀分布的电极，所述电极的排布呈蜂窝状，具体为：所述底盘中心具有六个电极，所述六个电极以所述底盘的中心为中心点呈正六边形排布，所述六个电极分别位于所述正六边形的六个顶点处；以所述正六边形为中心，其它电极向外排布，并且，最外层电极的连线近似为以所述底盘的中心为圆心的圆。本发明实施例提供的多晶硅还原炉，提高了多晶硅产品的质量，并且，通过扩展电极的对数，在保证产品质量的同时，还能够降低生产单位质量的多晶硅产品的能量消耗。
-
公开(公告)号：CN104276575A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310286633.9
申请日：2013-07-09
申请人： 四川瑞能硅材料有限公司
IPC分类号： C01B33/107
摘要： 本发明提供一种四氯化硅的制备方法，包括以下步骤：将硅矿石、氯化原料和还原剂混合，进行氯化反应，得到四氯化硅；所述氯化原料为氯气和氯化氢中的一种或多种。本发明采用价格低廉的硅矿石作为原料，在本发明所提供的四氯化硅的制备系统中即可一步完成四氯化硅的制备，省去了金属冶炼的工序，降低了生产成本和能耗。本发明还提供了一种四氯化硅的氯化反应装置以及四氯化硅的制备系统。本发明所提供的氯化反应装置能够耐高温、耐氯气腐蚀，便于维修以及清理。
-
公开(公告)号：CN102701209A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110075646.2
申请日：2011-03-28
申请人： 四川瑞能硅材料有限公司
IPC分类号： C01B33/03
摘要： 本发明实施例公开了一种多晶硅还原炉，包括炉体和底盘，所述底盘上具有多对均匀分布的电极，所述电极的排布呈蜂窝状，具体为：所述底盘中心具有六个电极，所述六个电极以所述底盘的中心为中心点呈正六边形排布，所述六个电极分别位于所述正六边形的六个顶点处；以所述正六边形为中心，其它电极向外排布，并且，最外层电极的连线近似为以所述底盘的中心为圆心的圆。本发明实施例提供的多晶硅还原炉，提高了多晶硅产品的质量，并且，通过扩展电极的对数，在保证产品质量的同时，还能够降低生产单位质量的多晶硅产品的能量消耗。
-
公开(公告)号：CN202170244U
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201120164131.5
申请日：2011-05-20
申请人： 四川瑞能硅材料有限公司
IPC分类号： C01B33/035
摘要： 本实用新型实施例公开了一种多晶硅还原炉，包括炉筒和底盘，所述底盘上设置有多对电极，还包括：设置于所述多晶硅还原炉的炉筒内壁与所述底盘上的最外层电极之间的保温层。本实用新型通过在炉筒内壁与所述底盘上的最外层电极之间设置保温层，在一定程度上阻止了还原炉内部与炉壁间的热量交换，使得水夹套结构对炉筒进行冷却的同时，并未影响到还原炉内部的热场，从而确保了还原炉内部的热场均衡，提高了多晶硅产品的质量，使生产出的多晶硅棒的粗细更加均匀。并且，由于保温层的设置，减少了还原炉内部热量的损失，确保了还原炉内的热量不外泄，在一定程度上降低了还原炉能量的损耗。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.036 秒)
