公开(公告)号：CN113046083B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110280952.3

申请日：2021-03-16

申请人： 四川大学

发明人： 刘跃辉 ,  余睽 ,  朱金铭 ,  傅敏 ,  张猛 ,  陈晓琴 ,  栾超然 ,  黄文 ,  李幼萍 ,  张伯礼

IPC分类号： C09K11/88 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明属于半导体发光材料技术领域，具体涉及一种幻数纳米团簇、其制备方法及其用途。本发明提供的幻数纳米团簇是以CdS单体置换CdSe幻数纳米团簇表面的CdSe单体后形成的CdSeS幻数纳米团簇。本发明还提供上述幻数纳米团簇的制备方法及其用途。本发明的CdSeS幻数纳米团簇的发光兼具发射峰波长蓝移和高量子产率的特点，克服了现有的CdS包覆CdSe量子点材料中无法避免发射峰红移的缺陷。其作为蓝光发射材料具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN113046083A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110280952.3

申请日：2021-03-16

申请人： 四川大学

发明人： 朱金铭 ,  余睽 ,  刘跃辉 ,  傅敏 ,  张猛 ,  陈晓琴 ,  栾超然 ,  黄文 ,  李幼萍 ,  张伯礼

IPC分类号： C09K11/88 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明属于半导体发光材料技术领域，具体涉及一种幻数纳米团簇、其制备方法及其用途。本发明提供的幻数纳米团簇是以CdS单体置换CdSe幻数纳米团簇表面的CdSe单体后形成的CdSeS幻数纳米团簇。本发明还提供上述幻数纳米团簇的制备方法及其用途。本发明的CdSeS幻数纳米团簇的发光兼具发射峰波长蓝移和高量子产率的特点，克服了现有的CdS包覆CdSe量子点材料中无法避免发射峰红移的缺陷。其作为蓝光发射材料具有很好的应用前景。