公开(公告)号：CN116264133A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211373799.X

申请日：2023-04-09

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 谭立超 ,  魏磊 ,  宋秀梅

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01G11/26

Abstract: 一种在泡沫镍上生长的NiCo2S4并包覆PPy的复合材料电极(PPy@NiCo2S4@NF)材料的制备，本发明属于超级电容器的技术领域。其发明的主要原因主要是用来解决碳基材料作为超级电容器的相关缺陷即由于材料储存电荷的机制的原因，因此具有较低的比容量等问题。本发明主要采用水热法在泡沫镍表面生长NiCo2S4纳米线阵列，通过设置不同的实验参数探究试验因素对材料形貌及其性能的影响。然后用静置法在镍钴双金属硫化物表面进行包覆聚吡咯，目的于制备一种核壳结构的材料来存储更多的电荷，其壳内部的纳米线阵列形成了分散均匀的三维结构，在增大比表面积提供了高额比容量的同时，提供了为电子快速传输的纳米通道，提高其导电性。并且PPy的复合为材料提供了额外属于导电聚合物快速可逆的掺杂和去掺杂的氧化还原反应的比电容，进一步提升了材料的比电容。合成出来的相关材料具有大的比电容，良好的循环伏安特性，能量密度大等优点，同时该方法也可以用来合成其他相关材料。