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公开(公告)号：CN109942995A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910104294.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电性能的铌酸钠/聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法，它属于复合材料制备技术领域。本发明要解决的技术问题为研发高介电性能、低成本易生产的新型储能材料。本发明首先制备铌酸铋钠晶体，然后制备铌酸钠晶体进行处理，然后加入一定体积的N，N-二甲基甲酰胺溶液中，超声分散30min，然后再加入一定质量的聚偏氟乙烯，继续超声分散1～2h后，得到铌酸钠/聚偏氟乙烯溶液在玻璃板上自然流延成膜，放到真空烘箱中抽真空，在放入鼓风烘箱烘干，得到一种高介电性能的铌酸钠/聚偏氟乙烯复合材料。本发明材料表现出很小的介电常数和损耗因子，以及更高的击穿强度，且成型简单，能耗低，易加工，可用于储能元件，微电子加工等领域。
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公开(公告)号：CN109880260A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910107358.7
申请日：2019-02-02
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种二维钛酸钡填料掺杂的聚偏氟乙烯基复合介质薄膜及其制备方法，它属于复合介质与能量储存领域。本发明利用熔盐法制备具有高介电常数的二维片状钛酸钡，以此作为填料，将聚偏氟乙烯加入N,N-二甲基甲酰胺溶液中，超声分散30min，得到聚偏氟乙烯溶液，按照一定料液比将处理后的二维片状钛酸钡晶体加入聚偏氟乙烯溶液，然后在高剪切搅拌机中搅拌10～15min，再在超声分散30min，冷却到室温，得到悬浊液，悬涂后，真空干燥，制得二维钛酸钡填料掺杂的聚偏氟乙烯基复合介质薄膜。本发明复合材料兼具钛酸钡介电常数高和PVDF击穿场强高、机械性能优异等优点，可用于制作高性能电容器、传感器、航天器以及电应力控制器件等。
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