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公开(公告)号:CN117205967A
公开(公告)日:2023-12-12
申请号:CN202311164812.5
申请日:2023-09-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明的目的是为了进一步提高UiO‑66‑NH2二氧化碳的吸附能力和UiO‑66‑NH2光催化还原二氧化碳的性能,而提供一种磺酸基修饰的含缺陷UiO‑66‑NH2二氧化碳还原光催化剂的制备方法。方法:一、利用溶剂热法制备了缺陷MOFs材料;二、通过合成后修饰法将磺酸基引入到已经合成的MOFs中,得到磺酸基修饰的含缺陷UiO‑66‑NH2二氧化碳还原光催化剂材料。本发明制备的磺酸基修饰的含缺陷UiO‑66‑NH2二氧化碳还原光催化剂材料在300W氙灯可见光照射下一氧化碳产生速率最高可达120.61μmol·g‑1·h‑1。
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公开(公告)号:CN115260510A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210764695.5
申请日:2022-06-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提供一种新的通过化学剥离制备COF‑316纳米片的方法,以解决传统超声法构筑的COF‑316纳米片产率低、可控性差,使催化剂的大量使用受到限制的问题。本发明在合成COF‑316的过程中原位加入金属镍离子,得到COF‑316‑Ni。将得到的COF‑316‑Ni置于HCl溶液中浸泡,离心处理后,洗涤,冻干即得到黄色粉末,记为COF‑316纳米片。本发明制备过程简单,且具有较高的纳米片剥离效率。本发明提供的化学剥离法制备的COF‑316纳米片材料相比于块状COF‑316材料具有更优异的光催化二氧化碳还原性能,其二氧化碳还原为一氧化碳的速率可达到33.9μmol·g‑1·h‑1,是块状COF‑316的1.67倍。
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