公开(公告)号：CN118610010A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410657203.1

申请日：2024-05-25

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 岳红彦 ,  谢艳秋 ,  高鑫 ,  王浩泽 ,  兰景茗 ,  张浩鹏 ,  杨帅 ,  江帆

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30

Abstract: 本发明公开了基于钒金属有机框架衍生的钒镍钴硫化物中空纳米管阵列/泡沫镍的制备及在超级电容器中的应用，本发明的目的是为了解决过渡金属硫化物在循环过程中体积易发生膨胀，从而导致电容衰减和循环稳定性降低的问题。本发明主要包括：一、种子层法和溶剂热法制备镍掺杂钒金属有机框架（V(Ni)‑MOF）纳米棒阵列/泡沫镍；二、离子刻蚀法制备V(NiCo)‑OH中空纳米管阵列/泡沫镍；三、水热硫化法制备V(NiCo)‑S中空纳米管阵列/泡沫镍。本发明具有合成工艺简单，成本低，产率高及无需后续处理等优势，由于所得材料的中空管状形貌和多金属的协同效应，钒镍钴硫化物中空纳米管阵列/泡沫镍表现出优异的电化学性能。在1 A g‑1时获得了1558.4 C g‑1的比电容，在10 A g‑1条件下10,000次循环后仍具有88.4%的优异循环性能。在两电极体系中，当功率密度为664 W kg‑1时，V(NiCo)‑S//AC能量密度可达93.5 Wh kg‑1。

公开(公告)号：CN118289826A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410268113.3

申请日：2024-03-09

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 岳红彦 ,  江帆 ,  高鑫 ,  白鹤 ,  谢艳秋 ,  张浩鹏 ,  兰景茗 ,  王浩泽

IPC: C01G51/04 ,  H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  C01G51/00

Abstract: 本发明公开了一种钴钼双氢氧化物纳米片@硫化钴铜纳米线阵列/泡沫镍复合材料作为超级电容器电极材料的制备方法。本发明的目的是设计由不同组分组成的核壳结构从而提高电极材料的比容量和循环性能。本发明主要包括：一、水热合成法制备钴铜前体/泡沫镍（CuCo前体/NF）；二、水热硫化法制备硫化钴铜/泡沫镍（CuCo2S4/NF）；三、电沉积法制备钴钼双氢氧化物纳米片@硫化钴铜纳米线阵列/泡沫镍（CoMo‑LDH@CuCo2S4/NF）。本发明具有合成工艺简单，成本低，产率高，无需后续处理等特点，由于硫化钴铜（核）具有优异的导电性和钴钼双氢氧化物纳米片（壳）的良好氧化还原活性，该电极CoMo‑LDH@CuCo2S4/NF在1 A g‑1时获得了1265.9 C g‑1的比电容，在10 A g‑1的10,000次循环中，具有92.2%的优异循环性能。

公开(公告)号：CN117542662A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311621551.5

申请日：2023-11-30

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 高鑫 ,  王浩泽 ,  岳红彦 ,  谢艳秋 ,  白鹤 ,  江帆 ,  李倩

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种具有岛状异质结构的电极材料及其制备方法和在超级电容器中的应用，属于超级电容器用电极材料及其制备技术领域。本发明为了解决现有二次生长或沉积方法形成的异质结构较大的离子扩散障碍和晶格失配带来的界面效应的问题。本发明通过原位反应，在保留NiCo‑LDH的层状结构的同时，将CoNi2S4嵌入到NiCo‑LDH纳米片表面，形成岛状异质结构，优化了材料的电子结构，建立了内置电场，有效地提高氧化还原反应活性，改善的电子导电性并促进电荷的吸附。同时，原位合成的方法可以避免异质结构外延机制带来的负面影响，有效的缓解NiCo‑LDH相变过程中的体积膨胀，提高电极材料的循环寿命。

公开(公告)号：CN118543354A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410399038.4

申请日：2024-04-03

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 岳红彦 ,  王海鑫 ,  高鑫 ,  白鹤 ,  江帆 ,  张浩鹏 ,  兰景茗 ,  柳巍 ,  王浩泽

IPC: B01J23/80 ,  G01N27/30 ,  G01N27/26 ,  B01J37/10 ,  B01J35/33

Abstract: 本发明属于新型纳米材料与电化学传感器检测技术领域，公开了一种金属有机框架衍生的中空镍钴锌氧化物纳米笼@还原氧化石墨烯纳米片的制备及应用。本发明的目的是解决现有传感器在检测木犀草素灵敏度低和稳定性差等问题。本发明主要制备方法如下：一、通过室温沉淀法制备钴锌金属有机框架；二、采用水热法，引入镍离子对前体进行刻蚀，得到镍钴锌氢氧化物；三、镍钴锌氢氧化物与石墨烯混合，退火得到镍钴锌氧化物@还原氧化石墨烯；四、将获得材料滴涂到玻碳电极检测木犀草素。本发明得到的镍钴锌氧化物呈现中空纳米笼形貌，尺寸为700nm。镍钴锌氧化物与还原氧化石墨烯的协同作用，对检测木犀草素具有高的灵敏度7.16μA·μM‑1·cm‑2(0～60μM)和低的检出限(64nM)。

公开(公告)号：CN118610011A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410657206.5

申请日：2024-05-25

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 岳红彦 ,  谢艳秋 ,  高鑫 ,  王浩泽 ,  兰景茗 ,  张浩鹏 ,  杨帅

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30

Abstract: 本发明属于新型纳米材料合成与超级电容器应用技术领域，公开了基于钒金属有机框架衍生的钒镍钴硒化物中空纳米管阵列/泡沫镍的制备及应用。本发明的目的是解决现有超级电容器比电容和能量密度低的问题。本发明主要包括：一、溶剂热法制备V(Ni)‑MOF纳米棒阵列/泡沫镍；二、离子刻蚀法制备V(NiCo)‑OH中空纳米管阵列/泡沫镍；三、水热硒化法制备V(NiCo)‑Se中空纳米管阵列/泡沫镍。本发明具有合成工艺简单，成本低，产率高及无需后续处理等优势，由于所得材料的中空管状形貌和多金属的协同效应，该材料表现出优异的电化学性能。在1A g‑1时比电容为1806.7C g‑1，在10A g‑1下10,000次循环后仍具有91.7％的电容保持率。在两电极体系中，当功率密度为679.5W kg‑1时，V(NiCo)‑Se//AC能量密度可达114.8Wh kg‑1。