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发明公开
一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法无效

公开(公告)号：CN113480317A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110757894.9

申请日：2021-07-05

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 刘刚 , 温博成 , 杨志韬 , 李文权 , 杨文龙 , 夏雪 , 徐珂

IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/64

Abstract: 一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法。本发明为了寻找AlN陶瓷最佳的制备工艺，以满足AlN陶瓷实际生产的需要。本方法如下：一、助烧剂的制备，二、将氮化铝和助烧剂进行球磨处理，球料比为10～30:1，球磨时间1～14h；三、将步骤二所得粉体烘干后，放入模具中，在烧结炉中一定温度、一定压力下保持一定时间；四、冷却后脱模即得高导热陶瓷片。本发明制备的AlN陶瓷成本低，操作简单，强度高等优点。

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