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公开(公告)号：CN118580102A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410631863.2
申请日：2024-05-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B41/88
Abstract: 一种热压烧结Ag粉制备覆银AlN陶瓷基板的方法，涉及一种制备覆银AlN陶瓷基板的方法。本发明是要解决现有的AlN陶瓷表面金属化时的工艺复杂，成本较高的技术问题。本发明通过将纯Ag粉压制成Ag片，再在Ag片上垫一层保护层，然后直接在空气环境下将Ag片热压烧结在AlN陶瓷上，在空气中Ag与AlN陶瓷之间会发生反应生成一层氧化物，增强Ag与AlN之间的连接强度，达到在陶瓷表面使用Ag进行金属化的目的。本发明获得的覆银AlN陶瓷基板具有热导率高、电阻率低、力学性能好、工艺简单和成本低等优点，可以满足工业化大批量制作与使用的要求，可以广泛应用于第三代半导体电子封装。
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