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公开(公告)号：CN119661230A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411862803.8
申请日：2024-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/577 , C04B35/622 , B33Y70/10 , B33Y10/00 , C04B41/87
Abstract: 一种使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷的方法，属于增材制造领域。本发明要解决现有采用3D打印技术制造SiC陶瓷试件存在孔隙率高的问题。方法：一、制备复合粉体；二、打印参数设定；三、脱脂；四、浸渍；五、烘干；六、高温烧结。本发明用于使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷。
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