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公开(公告)号：CN114664932A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210292981.6
申请日：2022-03-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/739
Abstract: 本发明所涉及的是一种新型低损耗IGBT结构，此IGBT结构为集成PMOS的沟槽IGBT结构，包括集成PMOS的超级基区IGBT(PSBLIGBT)结构与集成PMOS的GGEEtypeIGBT(PGEIGBT)结构，PSBLIGBT结构是在SBLIGBT内部集成了PMOS结构，不仅改善了器件的导通特性与耐压特性，同时极大的改善了器件导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系,以及导通损耗Eon与续流二极管(FWD)反向恢复时的dVAK/dt折中关系，PGEIGBT结构是在GEIGBT内部集成了PMOS结构,其极大的改善器件的导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系。
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公开(公告)号：CN112993025A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110421470.5
申请日：2021-04-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明所涉及的是一种新型高压低损耗IGBT结构,此IGBT结构为集成PMOS的沟槽IGBT结构，包括集成PMOS的超级基区IGBT(PSBL IGBT)结构与集成PMOS的GGEE type IGBT(PGE IGBT)结构，PSBL IGBT结构是在SBL IGBT内部集成了PMOS结构，不仅改善了器件的导通特性与耐压特性，同时极大的改善了器件导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系,以及导通损耗Eon与续流二极管(FWD)反向恢复时的dVAK/dt折中关系，PGE IGBT结构是在GE IGBT内部集成了PMOS结构,其极大的改善器件的导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112904238A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110409430.9
申请日：2021-04-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01R31/52
Abstract: 本发明提供了一种高压线路相间故障检测系统，该系统由电压互感器，充电模块，超级电容器组，高频逆变模块，智能控制模块和结果输出模块组成,其针对现有技术无法确定高压线相间是瞬时性短路故障还是永久性短路故障，提供了一种高压线路相间故障检测系统，电压互感器完成高压线取电，利用充电模块给超级电容器充电到目标电压，当进行故障检测时，利用超级电容器组对后级电路放电，同时启动高频逆变模块产生高频电压信号对高压线进行高频注入，最后利用微处理器对超级电容器组的放电时间计时，根据放电时间来识别输电线路是瞬时短路故障还是永久短路故障,该系统结构简单、便于携带，能够快速准确的识别出相间短路故障性质。
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公开(公告)号：CN114859185A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210355310.X
申请日：2022-04-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提供了一种高精度在线绝缘检测系统，该系统由注入源模块，支路采集与处理模块，核心处理模块，电源模块和结果输出模块组成，利用电源模块给各模块供电，注入源模块产生的双频叠加信号经过采样电阻和限流电阻后注入电网，通过排线将采样电阻两端引入到核心处理模块的注入源信号采集电路上，支路采集与处理模块进行电气量的转换、滤波、采样，并与核心处理模块CPU进行信息传输，核心处理模块将采集到的注入源信号以及各模块传输的数据进行处理得到系统绝缘电阻以及最终的故障选线结果，最后通过结果输出模块输出结果，该系统结构简单，测量精确，提高了绝缘检测的准确性。
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公开(公告)号：CN114646900A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210270482.7
申请日：2022-03-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提供了一种输电线路相间短路检测系统，该系统由电压互感器，充电模块，超级电容器组，高频逆变模块，智能控制模块和结果输出模块组成,其针对现有技术无法确定高压线相间是瞬时性短路故障还是永久性短路故障，提供了一种输电线路相间短路检测系统，电压互感器完成高压线取电，利用充电模块给超级电容器充电到目标电压，当进行故障检测时，利用超级电容器组对后级电路放电，同时启动高频逆变模块产生高频电压信号对高压线进行高频注入，最后利用微处理器对超级电容器组的放电时间计时，根据放电时间来识别输电线路是瞬时短路故障还是永久短路故障,该系统结构简单、便于携带，能够快速准确的识别出相间短路故障性质。
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公开(公告)号：CN214542245U
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202120802484.7
申请日：2021-04-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型所涉及的是一种新型高压低损耗IGBT结构,此IGBT结构为集成PMOS的沟槽IGBT结构，包括集成PMOS的超级基区IGBT(PSBL IGBT)结构与集成PMOS的GGEE type IGBT(PGE IGBT)结构，PSBL IGBT结构是在SBL IGBT内部集成了PMOS结构，不仅改善了器件的导通特性与耐压特性，同时极大的改善了器件导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系,以及导通损耗Eon与续流二极管(FWD)反向恢复时的dVAK/dt折中关系，PGE IGBT结构是在GE IGBT内部集成了PMOS结构,其极大的改善器件的导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系。
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公开(公告)号：CN214895724U
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202120778048.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01R31/52
Abstract: 本实用新型提供了一种高压线路相间故障检测系统，该系统由电压互感器，充电模块，超级电容器组，高频逆变模块，智能控制模块和结果输出模块组成,其针对现有技术无法确定高压线相间是瞬时性短路故障还是永久性短路故障，提供了一种高压线路相间故障检测系统，电压互感器完成高压线取电，利用充电模块给超级电容器组充电到目标电压，当进行故障检测时，利用超级电容器组对后级电路放电，同时启动高频逆变模块产生高频电压信号对高压线进行高频注入，最后利用微处理器对超级电容器组的放电时间计时，根据放电时间来识别输电线路是瞬时短路故障还是永久短路故障,该系统结构简单、便于携带，能够快速准确的识别出相间短路故障性质。
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