公开(公告)号：CN113652034A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110799972.1

申请日：2021-07-15

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王继华 ,  张明婷 ,  韩志东 ,  王春锋 ,  王永亮

IPC: C08L25/06 ,  C08L27/16 ,  C08K3/04 ,  C08K3/24 ,  C08J5/18

Abstract: 一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜及其制备方法。本发明属于介电材料及其制备领域。本发明的目的是解决现有聚合物基高介电常数复合材料损耗因子高、绝缘性能差的技术问题。本发明的一种GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜由BT/PVDF复合材料和GNP/PS复合材料经粉碎、混炼和热压而成，所述GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜为具有微电容器结构的四元复合薄膜；其中BT/PVDF复合材料由BT和PVDF混炼而成，GNP/PS复合材料由GNP和PS混炼而成。方法：分别先预混形成GNP/PS复合材料和BT/PVDF复合材料，然后再将两种复合材料粉碎后混炼，再进行热压，冷却后得到GNP/PS‑BT/PVDF选择性复合薄膜。本发明的复合材料内部具有微电容器结构，在保证介电常数显著提高的同时仍保持较高的击穿场强和优异的综合性能。