公开(公告)号：CN119931047A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510275722.6

申请日：2025-03-10

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李枕 ,  毕雪飞 ,  范千一 ,  董一坤 ,  魏尧新 ,  张中源 ,  刘骥

IPC: C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  H01B3/30 ,  C09D179/08 ,  C09D5/25

Abstract: 本发明公开了一种高真空沿面闪络性能的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用，属于高压绝缘材料制备技术领域。本发明所用的二胺单体和二酐单体可以有效提高聚酰亚胺分子链的横截面积，抑制材料的电荷运输，为提升绝缘材料的真空沿面闪络性能打下基础；采用本发明提供的方法制备的聚酰亚胺薄膜，可以向介质表面绝缘子引入深陷阱，降低材料二次电子发射和表面电场畸变，进而提高聚酰亚胺薄膜的真空沿面闪络性能；提供的制备方法合成原理简单，所需设备为本领域常用设备，原材料可以直接购买，可操作性强，适于推广应用。