基于BBO超快倍频的光子学器件

    公开(公告)号:CN206401709U

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201720020025.7

    申请日:2017-01-09

    Inventor: 张留洋 孙上傲

    Abstract: 本实用新型提供了一种基于BBO超快倍频的光子学器件,涉及非线性光倍频技术领域,具体涉及一种基于BBO超快倍频的光子学器件。本实用新型是为了解决在光倍频技术中,现有的BBO晶体由于色散产生的群速度失配,引起的脉冲展宽问题。本实用新型包括低温相偏硼酸钡晶体、高温相偏硼酸钡晶体。通过高温相偏硼酸钡晶体对倍频光群速度失配进行补偿,防止其脉冲展宽。

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