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公开(公告)号：CN113922802A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111346193.2
申请日：2021-11-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H03K17/72 , H03K17/081
Abstract: 本发明涉及一种15kV可控硅放电开关系统，属于可控硅放电开关领域，由四个光控可控硅T2563N80TOH、动态均压RCD回路、静态均压回路和瞬态电压保护回路组成了额定电压为15kV，最高工作电压达到30kV的，最大放电电流达到93kA的可控硅放电开关，将单个可控硅进行串联提升了可控硅控制的电压等级，并对串联可控硅结构面临动态均压、静态均压和同步等问题设计了合适的外部保护电路结构进行解决。为可控硅开关系统提供了一种提升电压等级并且改善动静态均压的方法。
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公开(公告)号：CN113922802B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202111346193.2
申请日：2021-11-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H03K17/72 , H03K17/081
Abstract: 本发明涉及一种15kV可控硅放电开关系统，属于可控硅放电开关领域，由四个光控可控硅T2563N80TOH、动态均压RCD回路、静态均压回路和瞬态电压保护回路组成了额定电压为15kV，最高工作电压达到30kV的，最大放电电流达到93kA的可控硅放电开关，将单个可控硅进行串联提升了可控硅控制的电压等级，并对串联可控硅结构面临动态均压、静态均压和同步等问题设计了合适的外部保护电路结构进行解决。为可控硅开关系统提供了一种提升电压等级并且改善动静态均压的方法。
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公开(公告)号：CN114835155B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210432148.7
申请日：2022-04-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C01G9/08
Abstract: 一种ZnS纳米材料的制备方法，属于微波吸收技术领域。所述方法包括：将升华硫与硫酸锌分别作为硫源和锌源与尿素放入烧杯中，并向烧杯中加入一定量的乙二醇和N，N‑二甲基甲酰胺溶液在室温下进行磁力搅拌，搅拌结束后将其倒入反应釜并置于烘箱中反应数小时，待反应结束后将溶液进行离心分离出沉淀物，用无水乙醇和正庚烷的混合溶液洗涤3～5次，烘干即得到ZnS纳米材料。与其他制备方法相比，本发明操作简单制备容易，并且通过调节反应时间以及原料配比，制备出粒径不同的ZnS纳米材料，为制备ZnS纳米材料提供了一种新的方法。
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公开(公告)号：CN114906877A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210349259.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种能与LDPE复合制备磁性纳米电介质的钴铁氧体的制备方法，属于电气绝缘技术领域。本发明为解决现有CoFe2O4粉末制备工艺很难与LDPE基体具有良好相容性的问题，将CoSO4·7H2O、FeCl3·6H2O和NaOH分别溶解到去离子水中，得到溶液A、B、C；将溶液A与B混合，在不断搅拌下滴加溶液C，直至其变成悬浮溶液D；将悬浮溶液D转移至水热反应釜中，加入表面活性剂，在100～160℃条件下反应10‑20h，得到反应液E；冷却至室温，离心收集反应液E下层固体物质；使用蒸馏水、庚烷依次清洗，得到纳米CoFe2O4颗粒，真空烘干；采用熔融共混法将LDPE与其复合即可。本发明中制得的CoFe2O4在包覆的表面活性剂的作用下能与LDPE基体良好相容，应用于电气绝缘领域。
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公开(公告)号：CN114835155A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210432148.7
申请日：2022-04-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C01G9/08
Abstract: 一种ZnS纳米材料的制备方法，属于微波吸收技术领域。所述方法包括：将升华硫与硫酸锌分别作为硫源和锌源与尿素放入烧杯中，并向烧杯中加入一定量的乙二醇和N，N‑二甲基甲酰胺溶液在室温下进行磁力搅拌，搅拌结束后将其倒入反应釜并置于烘箱中反应数小时，待反应结束后将溶液进行离心分离出沉淀物，用无水乙醇和正庚烷的混合溶液洗涤3～5次，烘干即得到ZnS纳米材料。与其他制备方法相比，本发明操作简单制备容易，并且通过调节反应时间以及原料配比，制备出粒径不同的ZnS纳米材料，为制备ZnS纳米材料提供了一种新的方法。
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