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公开(公告)号：CN116794038A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310842666.0
申请日：2023-07-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种测量非局域程度的方法，包括以下步骤：步骤一、将向列相液晶材料放入到液晶盒内；步骤二、将起偏器、液晶盒、检偏器以及探测器从上至下共轴排放，在液晶盒左侧射入孤子光束，在起偏器上方射入弱信号光；步骤三、用孤子光束引起液晶盒内液晶分子发生偏转，根据晶体光学原理以及琼斯矩阵原理得到弱信号光出射光强以及位相差随材料非局域程度的变化曲线。本发明的一种测量非局域程度的方法，通过信号光出射光强对非局域程度进行定量处理，该方法可以快速地得到向列相液晶的非局域程度。
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