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公开(公告)号：CN103014414B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310000854.5
申请日：2013-01-04
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种含有梯度分布成分的TiNi基形状记忆合金及其制备方法。在TiNi基形状记忆合金的表面通过电镀或化学镀的方法沉积一层金属镀层，在真空度不低于10-4Pa、温度为700－900℃的条件下进行扩散退火处理，使镀层金属元素沿TiNi基形状记忆合金厚度方向连续分布，形成含有梯度分布成分的TiNi基形状记忆合金。本发明所制备的含有梯度分布成分的TiNi基形状记忆合金，具有较宽的相变温度区间，从而有利于改善记忆合金驱动器的可控性。本发明的制备方法具有工艺简单，对设备要求低的特点。适用于各种不同形状的形状记忆合金驱动器，如弹簧与扭转管的内壁。
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公开(公告)号：CN103305801A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310218960.0
申请日：2013-06-05
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种TiNi基形状记忆合金多层薄膜及其制备方法。(一)、将衬底置于真空室样品台上，抽真空,采用TiNi基合金或者将纯金属粘贴在TiNi合金上作为靶材，充入氩气，将样品台加热至250～450°C，然后在溅射功率为200～600W，靶材与衬底间距为60～200mm的条件下溅射制备一层薄膜；(二)、将电源切换至另外的靶位，以同样条件制备在步骤（一）获得的薄膜上沉积一层薄膜；（三）、重复步骤（二），即可得到所需要的多层薄膜。本发明制备的TiNi基记忆合金多层膜的相变温度区间大，阻尼性能优异。本发明所采用的工艺简单，与现有微机电系统制造工艺兼容性好。
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公开(公告)号：CN103014414A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310000854.5
申请日：2013-01-04
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种含有梯度分布成分的TiNi基形状记忆合金及其制备方法。在TiNi基形状记忆合金的表面通过电镀或化学镀的方法沉积一层金属镀层，在真空度不低于10-4Pa、温度为700－900℃的条件下进行扩散退火处理，使镀层金属元素沿TiNi基形状记忆合金厚度方向连续分布，形成含有梯度分布成分的TiNi基形状记忆合金。本发明所制备的含有梯度分布成分的TiNi基形状记忆合金，具有较宽的相变温度区间，从而有利于改善记忆合金驱动器的可控性。本发明的制备方法具有工艺简单，对设备要求低的特点。适用于各种不同形状的形状记忆合金驱动器，如弹簧与扭转管的内壁。
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公开(公告)号：CN103305801B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310218960.0
申请日：2013-06-05
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种TiNi基形状记忆合金多层薄膜及其制备方法。(一)、将衬底置于真空室样品台上，抽真空,采用TiNi基合金或者将纯金属粘贴在TiNi合金上作为靶材，充入氩气，将样品台加热至250～450°C，然后在溅射功率为200～600W，靶材与衬底间距为60～200mm的条件下溅射制备一层薄膜；(二)、将电源切换至另外的靶位，以同样条件制备在步骤（一）获得的薄膜上沉积一层薄膜；（三）、重复步骤（二），即可得到所需要的多层薄膜。本发明制备的TiNi基记忆合金多层膜的相变温度区间大，阻尼性能优异。本发明所采用的工艺简单，与现有微机电系统制造工艺兼容性好。
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