公开(公告)号：CN117586010A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311658957.0

申请日：2023-12-05

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 武国华 ,  吴玉飞 ,  荣先辉 ,  张旭阳 ,  赵堃鸣 ,  朱长宽 ,  赵雪莹

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  H05K9/00

Abstract: MOF衍生A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料的制备方法和应用，它涉及ABO3型钙钛矿材料的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有方法制备的A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料的制备方法单一，作为吸波材料使用时，吸波效果差的问题。不同于传统的溶胶‑凝胶而后高温煅烧的制备方法，本发明通过控制MOF基体水解过程，而后经高温煅烧，获得钙钛矿材料，并将其作为吸波材料应用于电磁波吸收领域。本发明制备的MOF衍生A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料作为吸波材料使用时，在11GHz处获得‑62.6dB的反射损耗值，此时材料厚度仅为2.08mm。而当材料厚度为5mm时，其吸收频带可低至4GHz，可具有‑34dB的反射损耗值。