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公开(公告)号：CN117706436A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311652457.6
申请日：2023-12-05
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明属于磁传感器低频探测技术领域，公开了一种适用于抑制磁传感器1/f噪声的新型磁通调制结构，包括绝缘基底，绝缘基底上设置有微振梁，微振梁的一端与设置在绝缘基底上的聚集组件对应设置，微振梁上设置有电极组件；微振梁包括固接在绝缘基底上的固定段，固定段上固接有与绝缘基底间隔设置的自由段；聚集组件包括对称固接在绝缘基底上的第一磁通聚集器和第二磁通聚集器，自由段的一端伸入第一磁通聚集器与第二磁通聚集器之间的间隙内。本发明结构相对简单，能有效抑制TMR磁传感器1/f噪声，依靠磁传感器的振动实现被测磁场的调制，将低频信号调制到高频区域，实现抑制1/f噪声的功能，具有高调制效率、调制结构实现简单等优点。
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