公开(公告)号：CN111349432B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010298665.0

申请日：2020-04-16

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘禄 ,  周子文 ,  刘宇 ,  孙显昊 ,  张建中

IPC: C09K11/02 ,  C09K9/00 ,  C09K11/77 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K5/14

Abstract: 本发明公开了一种光致变色上转换荧光开关及其制备方法，该光致变色开关基于稀土掺杂晶体材料，具体为三层核‑壳‑壳结构，由内向外依次为较低浓度的发光晶核、惰性分隔层和高浓度的光热转化壳层。本发明利用特定激发波段下光热壳层的加热效应降低另一种波长激发下晶核的荧光强度，从而实现单颗粒水平下光的“开—关”功能。本发明的光致变色开关具有尺寸小、易于数据读取、响应迅速、操作简便、可重复性高等优点，主要解决当前光致变色开关尺寸大、响应慢、数据读取困难、操作复杂、重复性差的缺点。

公开(公告)号：CN111349432A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN202010298665.0

申请日：2020-04-16

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘禄 ,  周子文 ,  刘宇 ,  孙显昊 ,  张建中

IPC: C09K11/02 ,  C09K9/00 ,  C09K11/77 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K5/14

Abstract: 本发明公开了一种光致变色上转换荧光开关及其制备方法，该光致变色开关基于稀土掺杂晶体材料，具体为三层核-壳-壳结构，由内向外依次为较低浓度的发光晶核、惰性分隔层和高浓度的光热转化壳层。本发明利用特定激发波段下光热壳层的加热效应降低另一种波长激发下晶核的荧光强度，从而实现单颗粒水平下光的“开—关”功能。本发明的光致变色开关具有尺寸小、易于数据读取、响应迅速、操作简便、可重复性高等优点，主要解决当前光致变色开关尺寸大、响应慢、数据读取困难、操作复杂、重复性差的缺点。