公开(公告)号：CN116834390A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310718492.7

申请日：2023-06-16

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘子耕 ,  沈俊达 ,  刘博韬 ,  刘盛春 ,  卫毅 ,  郑博

IPC: B32B15/01 ,  B32B3/24 ,  B32B3/08 ,  B32B3/14 ,  B32B15/20 ,  B32B15/18 ,  B32B33/00 ,  B32B3/20 ,  G10K11/168 ,  G10K11/172 ,  G06F30/10 ,  G06F30/20 ,  G06F119/10

Abstract: 本发明属于航空设备吸收材料制备测定技术领域，公开了一种宽低频吸声减振覆盖层结构及设计方法。该设计方法包括：通过改变由内嵌颈孔直径d、内嵌颈长l、腔室壁板高L组成的单个单元的几何参数，对多个内嵌橡胶亥姆霍兹共鸣器之间的强烈非局域耦合，改变内嵌橡胶亥姆霍兹共鸣器的阻抗，由弱耦合共振吸声机理得到吸声超表面阵列的宽低频吸声减振覆盖层结构整体结构；利用内嵌橡胶亥姆霍兹共鸣器多由内嵌颈、阻尼橡胶涂覆层和吸声腔组成。本发明通过调整多基元超构表面阵列中多个内嵌橡胶亥姆霍兹共鸣器之间的非局域耦合实现有效的宽带阻抗调制，从而在甚低频下实现宽带声能的强烈耗散。