公开(公告)号：CN104749665B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510164384.5

申请日：2015-04-08

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 肖淑敏 ,  钟建文 ,  宋清海

IPC: G02B3/00

Abstract: 本发明提供了一种基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法，单元包括高折射率介质材料组成的天线、二氧化硅填充层、银镜和二氧化硅基底。平面透镜包括以中心对称分布的平面透镜单元，平面透镜单元的天线在x轴上呈周期分布，在y轴上以y=0为对称中心对称分布。制备方法为：第一步是在二氧化硅基底上覆盖一层银膜，然后在银膜表面上继续用电子束蒸镀覆盖填充层二氧化硅和硅膜；第二步是在硅膜上旋涂光刻胶，然后用电子束曝光技术完成光刻胶的刻蚀和显影；第三步是采用反应离子束刻蚀技术实现对硅膜的刻蚀；第四步是经过剥离过程得到最终的纳米硅天线。该结构可以提高一个数量级的聚焦效率，因此具有很高的实际应用价值。

公开(公告)号：CN104749665A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510164384.5

申请日：2015-04-08

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 肖淑敏 ,  钟建文 ,  宋清海

IPC: G02B3/00

CPC classification number: G02B3/00

Abstract: 本发明提供了一种基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法，单元包括高折射率介质材料组成的天线、二氧化硅填充层、银镜和二氧化硅基底。平面透镜包括以中心对称分布的平面透镜单元，平面透镜单元的天线在x轴上呈周期分布，在y轴上以y=0为对称中心对称分布。制备方法为：第一步是在二氧化硅基底上覆盖一层银膜，然后在银膜表面上继续用电子束蒸镀覆盖填充层二氧化硅和硅膜；第二步是在硅膜上旋涂光刻胶，然后用电子束曝光技术完成光刻胶的刻蚀和显影；第三步是采用反应离子束刻蚀技术实现对硅膜的刻蚀；第四步是经过剥离过程得到最终的纳米硅天线。该结构可以提高一个数量级的聚焦效率，因此具有很高的实际应用价值。