公开(公告)号：CN105702287A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610001562.7

申请日：2016-01-05

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 刘记朋 ,  赵秋奇 ,  黄继攀 ,  宋博扬 ,  郭纪家 ,  王明江

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069

Abstract: 本发明提供一种基于多比特阻态阻变器件的RRAM阵列读写方法及系统，属于多比特阻态阻变器件应用领域。本发明的方法包括如下步骤：构造RRAM存储阵列，所述RRAM存储阵列中设有多个具有多比特阻态的阻变单元；阻值写入模块通过使阻变器件在阻值变化区间线性变化实现阻值的写入；通过在读取模块的输入端分别加一个所要读取的阻变单元上位线上的电压VBL和相应参考电压Vref，实现读取模块对RRAM存储阵列中某一阻变单元不同阻态间阻值进行读取；解码模块将读取模块的读取值转换成设定的数字。本发明的有益效果为：通过改进的读取模块实现对阵列中某一阻变单元不同阻态间阻值的读取，从而完成了对新型阻变存储阵列中多值存储的实现。