公开(公告)号：CN107267954B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201710449897.X

申请日：2017-06-14

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 于杰 ,  王曙光

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/517 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明提供了一种外延生长制备高定向金刚石纳米片阵列材料的方法，以单晶金刚石或多晶金刚石薄膜为基底；采用微波等离子体化学气相方法和利用面内外延生长技术使基底中的{111}晶面的面缺陷通过横向面内外延生长形成纳米片，片的取向是沿着金刚石的{111}晶面生长，得到高定向金刚石纳米片阵列材料。本发明的技术方案克服现有技术中站立的金刚石纳米片难以定向生长的技术难题，通过面内外延生长的方法得到了高定向金刚石纳米片阵列材料，该材料是由金刚石纳米片规则排列，形成有规则取向的三维阵列，具有均匀的厚度；而且可以通过改变甲烷的浓度来控制金刚石纳米片的密度和厚度。

公开(公告)号：CN107267954A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710449897.X

申请日：2017-06-14

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 于杰 ,  王曙光

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/517 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明提供了一种外延生长制备高定向金刚石纳米片阵列材料的方法，以单晶金刚石或多晶金刚石薄膜为基底；采用微波等离子体化学气相方法和利用面内外延生长技术使基底中的{111}晶面的面缺陷通过横向面内外延生长形成纳米片，片的取向是沿着金刚石的{111}晶面生长，得到高定向金刚石纳米片阵列材料。本发明的技术方案克服现有技术中站立的金刚石纳米片难以定向生长的技术难题，通过面内外延生长的方法得到了高定向金刚石纳米片阵列材料，该材料是由金刚石纳米片规则排列，形成有规则取向的三维阵列，具有均匀的厚度；而且可以通过改变甲烷的浓度来控制金刚石纳米片的密度和厚度。