公开(公告)号：CN106094199B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201610652441.9

申请日：2016-08-10

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 徐科 ,  文翔 ,  刘璐 ,  宋清海

IPC: G02B27/00

Abstract: 本发明提供了一种片上光功率分束器的设计方法，其包括以下步骤：确定器件的功能和器件的耦合区域；对耦合区域在X轴、Y轴的平面上进行网格划分成立方块，每个立方块有两种可能的状态：硅材料、空气；将所有的立方块都设定为硅材料，随机选择一个立方块，并转换该立方块的状态，计算出转换前后各输出端总能量以及不同输出端的分光比，如果转换后的输出端总能量提高且不同输出端的分光比更接近于目标分光比，那么保持这个立方块的状态；否则，这个立方块的状态翻转为原来的状态；随机选择下一个立方块，重复上述过程，直至得到满足确定的功能。本发明的方法可在任意半导体材料上实现任意分光比、多输出的自动化设计，方法简单，降低了设计周期。

公开(公告)号：CN107632339B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201610452134.6

申请日：2016-06-21

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 徐科 ,  文翔 ,  宋清海

IPC: G02B6/124

Abstract: 本发明提供了一种波导光栅耦合器的设计方法，其包括以下步骤：确定器件的功能、输入要求、输出要求和器件的功能结构区域，然后对器件载体进行网格划分成若干像素条区域；对器件载体网格划分后的结构进行迭代前的初始化；确定迭代的优化条件；对器件载体上的各像素条的结构依次进行迭代，在每次迭代过程中首先对像素条的结构按网格划分进行查找，通过有限时域差分法计算每次的迭代结果，并利用迭代优化条件进行判断，若此次查找的结构使性能参数提高，那么结构在本次迭代中更新，否则，此次迭代期间结构不变。采用本发明的技术方案，采用自动化的反向设计方法，设计方法简单，降低了设计周期，减少设计的人力成本，可以增加设计的自由度。

公开(公告)号：CN107632339A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201610452134.6

申请日：2016-06-21

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 徐科 ,  文翔 ,  宋清海

IPC: G02B6/124

Abstract: 本发明提供了一种波导光栅耦合器的设计方法，其包括以下步骤：确定器件的功能、输入要求、输出要求和器件的功能结构区域，然后对器件载体进行网格划分成若干像素条区域；对器件载体网格划分后的结构进行迭代前的初始化；确定迭代的优化条件；对器件载体上的各像素条的结构依次进行迭代，在每次迭代过程中首先对像素条的结构按网格划分进行查找，通过有限时域差分法计算每次的迭代结果，并利用迭代优化条件进行判断，若此次查找的结构使性能参数提高，那么结构在本次迭代中更新，否则，此次迭代期间结构不变。采用本发明的技术方案，采用自动化的反向设计方法，设计方法简单，降低了设计周期，减少设计的人力成本，可以增加设计的自由度。

公开(公告)号：CN207924188U

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201820128184.3

申请日：2018-01-25

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 徐科 ,  刘英杰 ,  谢虎成

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/126

Abstract: 本实用新型提供了一种片上衰减器，衰减器结构类二维码分布，主体区域为2.4×2.4μm2，将优化区域分为20×20的方形像素点，像素点尺寸为120×120 nm2，自动优化得到满足目标的类二维码结构的衰减器。最终得到5个不同衰减值的衰减器，分别为：1dB，3dB，6dB，10dB，20dB，衰减器带宽为50nm。所述衰减器与其它衰减器相比，其尺寸结构非常小，且设计时间短，可根据目标要求自动优化设。所述衰减器在硅光器件中有一定的应用范围，可在器件中引入衰减，平衡或者增大光路的插损，如在MZ器件的两波导臂上应用衰减器可平衡其光路损耗。

公开(公告)号：CN207908828U

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201820191993.9

申请日：2018-02-02

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 徐科 ,  谢永强 ,  谢虎成

IPC: G02F1/01

Abstract: 本实用新型提供了一种基于石墨烯-微纳光纤的高速行波电光调制器，包括微纳光纤、顶层石墨烯、右侧电极、基底层、左侧电极、介质层、底层石墨烯；左侧电极和右侧电极为共面带结构的行波电极，在基底层上，所述微纳光纤置于顶层石墨烯和底层石墨烯之间，并位于共面带电极中间，所述介质层隔离顶层石墨烯和底层石墨烯。本实用新型具有工作稳定、易集成、功耗低等优点。和现有集总型石墨烯-微纳光纤相比，本实用新型中的行波电极显著提高了调制带宽。其制备简单，且能够高效地衔接标准单模光纤通信网络，通过干涉仪或定向耦合等方法，可以广泛地应用于光强度调制，能在光通信领域发挥巨大的作用。