公开(公告)号：CN108593707A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810532951.1

申请日：2018-05-29

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 孙华锐 ,  刘康 ,  周岩

IPC: G01N25/20

CPC classification number: G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法以及装置，包括以下步骤：发射紫外脉冲激光；发射连续激光；将紫外脉冲激光扩束；将紫外脉冲激光与连续激光进行合束共轴；两束激光汇聚到待测GaN外延晶片上；接收从待测GaN外延晶片表面反射回来的光信号；根据光热效应，通过所述光信号的变化强度评估GaN外延晶片表面温度的变化，得到瞬态热反射曲线；通过拟合程序拟合来获得待测GaN外延晶片界面热阻。本发明将加热激光设定为波长为355nm的紫外脉冲激光，探测激光设定为波长为325nm的连续激光，并进行共轴操作，以解决现有的瞬态热反射法测量GaN外延晶片界面热阻需要在GaN表面加镀金属薄膜或者进行器件加工的问题。

公开(公告)号：CN208297403U

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201820811501.1

申请日：2018-05-29

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 孙华锐 ,  刘康 ,  周岩

IPC: G01N25/20

Abstract: 本实用新型公开了一种GaN外延晶片界面热阻的测量装置，包括：紫外脉冲激光器、连续激光器、透镜组、二向色分光镜、紫外线聚焦物镜、光电探测器；还包括：半透镜、带通滤波片、凸透镜、CCD相机。本实用新型将加热激光设定为波长为355nm的紫外脉冲激光，探测激光设定为波长为325nm的连续激光，并进行共轴操作，以解决现有的瞬态热反射法测量GaN外延晶片界面热阻需要在GaN表面加镀金属薄膜换能器或者进行器件加工的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利