公开(公告)号：CN119789755A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411751319.8

申请日：2024-12-02

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 毛俊 ,  马晓静 ,  林晨浩 ,  杨恒宇 ,  梁堃 ,  江峰 ,  张倩 ,  曹峰

IPC: H10N10/01 ,  C30B11/00 ,  C30B29/52 ,  H10N10/853

Abstract: 本发明涉及热电半导体材料领域，提供了一种基于Mg3Bi2基单晶热电材料的制冷器件制备方法，包括：单晶热电材料制备步骤和制冷器件制备步骤；单晶热电材料制备步骤包括：原料称取步骤：按Mg3.05Bi1.997‑xSbxTe0.003的名义称量镁、铋、锑和碲元素，其中，x＝0.1‑1.5；原料熔炼步骤：将原料放置于耐温容器中熔炼得到熔液；单晶形成步骤：控制熔液的温度下降速率，使熔液降温以于熔液形成单晶形核点，熔液继续降温，单晶形核点生长形成单晶，获取单晶热电材料；制冷器件制备步骤包括：将单晶热电材料制备成n型热电单腿，将n型热电单腿与p型热电单腿焊接形成单、双级热电制冷器件。本发明所制备的Mg3Bi2基单晶热电材料的热电性能佳，制冷器件的接头质量佳，应用前景广阔。