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发明公开
一种基于双曲材料的近场辐射填充式结构及方法审中-实审

公开(公告)号：CN119730470A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510250547.5

申请日：2025-03-04

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 杨月 , 廖昭乐 , 姚星宇 , 陈哲锴

IPC: H10F77/124 , H10F71/00 , H10F77/20 , H10F19/80 , H10N10/855 , H10N10/01

Abstract: 本发明涉及基于双曲材料的近场辐射填充式结构及方法，所述基于双曲材料的近场辐射填充式结构包括依次连接的发射极、填充层和接收极，其中，所述发射极的材料为N型掺杂硅；所述接收极与所述发射极平行设置，所述接收极的材料为N型掺杂硅；所述发射极和所述接收极平行设置，所述填充层设置在所述发射极和所述接收极之间。本发明能实现最大激发双曲模式，使热流得到极大的提升。平行波矢量由于双曲模式的激发而得到极大的提高，在最大激发双曲模式下，有更多的光子通过隧穿效应到达接收极介质的表面。

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