公开(公告)号：CN117980787A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280063419.4

申请日：2022-06-15

Applicant: 和歌山县 ,  日东电工株式会社

Inventor： 森岳志 ,  森智博 ,  斋藤茜 ,  增田刚 ,  竿本仁志 ,  川口麻未 ,  宫武稔 ,  松田祥一 ,  葛田真乡

IPC: G02B5/20 ,  C08J9/28

Abstract: 本发明可提供一种光子上转换薄膜及其简便的制造方法，该光子上转换薄膜是即便在空气中或在低强度的光下仍可进行高效率的上转换的薄膜。本发明的实施方式的光子上转换薄膜具有由树脂形成的基质与空隙部，且至少包含：敏化成分，其可吸收位于第1波长区域λ1的光；及发光成分，其可发射位于较第1波长区域λ1更短波长的第2波长区域λ2的光；敏化成分和发光成分存在于基质与空隙部的界面。

公开(公告)号：CN117980787B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202280063419.4

申请日：2022-06-15

Applicant: 和歌山县 ,  日东电工株式会社

Inventor： 森岳志 ,  森智博 ,  斋藤茜 ,  增田刚 ,  竿本仁志 ,  川口麻未 ,  宫武稔 ,  松田祥一 ,  葛田真乡

IPC: G02B5/20 ,  C08J9/28

Abstract: 本发明可提供一种光子上转换薄膜及其简便的制造方法，该光子上转换薄膜是即便在空气中或在低强度的光下仍可进行高效率的上转换的薄膜。本发明的实施方式的光子上转换薄膜具有由树脂形成的基质与空隙部，且至少包含：敏化成分，其可吸收位于第1波长区域λ1的光；及发光成分，其可发射位于较第1波长区域λ1更短波长的第2波长区域λ2的光；敏化成分和发光成分存在于基质与空隙部的界面。