公开(公告)号：CN113893870A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202010641110.1

申请日：2020-07-06

Applicant: 吕锋仔 ,  厦门大学

Inventor： 吕锋仔 ,  黄文财

IPC: B01J27/185 ,  C01B3/04 ,  A62D3/17

Abstract: 本发明公开了半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体异质结/同质结包括半导体过渡层、第一半导体层和第二半导体层，半导体过渡层包括半导体层，第一半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第二半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第一半导体层与第二半导体层不接触，第一半导体层和与其直接接触的半导体层至少之一的厚度不超出它们所形成的半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度、和/或第二半导体层和与其直接接触的半导体层至少之一的厚度不超出它们所形成的半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度。该半导体异质结/同质结具有优异的氧化还原能力、最大化的有效活性表面、可控的内建电场、灵活的能带结构匹配和良好的稳定性。

公开(公告)号：CN114160175B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202010846668.3

申请日：2020-08-20

Applicant: 吕锋仔 ,  厦门大学

Inventor： 吕锋仔 ,  黄文财

IPC: B01J27/185 ,  C25B1/04 ,  C25B11/091 ,  C25B11/069

Abstract: 本发明公开了半导体光催化结构及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体光催化结构包括半导体过渡层、第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第二半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第一半导体层与第二半导体层不接触；第一半导体层和第二半导体层带隙能不低于1.8ev，第一半导体层厚度和与其直接接触半导体层厚度均超出空间电荷区宽度、其内建电场方向由第一半导体层指向与其直接接触半导体层、第一半导体层导带底比H2O/H2还原电势更负，第二半导体层厚度和与其直接接触半导体层厚度均超出空间电荷区宽度、其内建电场方向由与其直接接触的半导体层指向第二半导体层、第二半导体层价带顶比O2/H2O氧化电势更正。

公开(公告)号：CN114160175A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202010846668.3

申请日：2020-08-20

Applicant: 吕锋仔 ,  厦门大学

Inventor： 吕锋仔 ,  黄文财

IPC: B01J27/185 ,  C25B1/04 ,  C25B11/091 ,  C25B11/069

Abstract: 本发明公开了半导体光催化结构及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体光催化结构包括半导体过渡层、第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第二半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第一半导体层与第二半导体层不接触；第一半导体层和第二半导体层带隙能不低于1.8ev，第一半导体层厚度和与其直接接触半导体层厚度均超出空间电荷区宽度、其内建电场方向由第一半导体层指向与其直接接触半导体层、第一半导体层导带底比H2O/H2还原电势更负，第二半导体层厚度和与其直接接触半导体层厚度均超出空间电荷区宽度、其内建电场方向由与其直接接触的半导体层指向第二半导体层、第二半导体层价带顶比O2/H2O氧化电势更正。

公开(公告)号：CN113893869A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202010641148.9

申请日：2020-07-06

Applicant: 吕锋仔 ,  厦门大学

Inventor： 吕锋仔 ,  黄文财

IPC: B01J27/18 ,  B01J27/04 ,  B01J37/02 ,  B01J37/34 ,  C01B3/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B01J27/185

Abstract: 本发明公开了半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体异质结/同质结包括：第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层设在第二半导体层上，所述第一半导体层和所述第二半导体层中至少之一的厚度不超出所述半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度。该半导体异质结/同质结具有优异的氧化还原能力、最大化的有效活性表面、可控的内建电场、灵活的能带结构匹配和良好的稳定性，从而提高基于半导体异质/同质结的光全解水催化体系的光转化效率和拓展可选择的光催化材料，解决现有技术中光催化剂只能光解水制氢或降解污染物以及光全解水时效率低下的难题。

公开(公告)号：CN115212895A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202110404162.1

申请日：2021-04-15

Applicant: 吕锋仔 ,  厦门大学

Inventor： 吕锋仔 ,  黄文财

IPC: B01J27/04 ,  B01J27/18 ,  B01J23/42 ,  B01J37/34 ,  B01J37/02 ,  B01J35/06 ,  B01J37/06 ,  C01B3/04 ,  B01J35/02

Abstract: 本发明公开了一种光催化结构及其制备方法和具有其的光催化剂，其中，光催化结构包括第一光催化剂层；第二光催化剂层，所述第一光催化剂层设在所述第二光催化剂层上；所述第一光催化剂层和所述第二光催化剂层形成半导体异质结/同质结；所述第一光催化剂层的厚度和所述第二光催化剂层的厚度均超出它们所形成的半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度；所述第一光催化剂层的外表面包含能与反应溶液或气体直接接触的第一区域；所述第二光催化剂层的外表面包含能与反应溶液或气体直接接触的第二区域。该光催化结构具有可控的有效活性表面、增强的内建电场、灵活的能带结构匹配以及更好的稳定性。