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公开(公告)号:CN105789591B
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201610227883.9
申请日:2016-04-13
Applicant: 同济大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种帐篷型框架结构的石墨烯/FeSn‑纳米棒阵列/石墨烯复合材料的合成方法,包括以下步骤:利用水热法,调控表面活性剂用量及前驱物配比,合成了FeSn/rGO晶种,然后,通过种子生长法,获得了FeSn‑纳米棒阵列/rGO,最后再通过水热法,在其上面铺展一层石墨烯封顶,形成一种帐篷型的稳定框架结构。与现有技术相比,本发明工艺简单,制备条件温和,产物形貌稳定、纯度高,且产物处理方便简洁,具有很强的通用性,适合于工业生产;原材料易得,不需要催化剂和模板,价格低廉;产物具有较高的充放电性能和循环稳定性的锂电性能,可以作为具有高性能的锂离子负极材料,有广阔的锂电应用前景。
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公开(公告)号:CN105789591A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201610227883.9
申请日:2016-04-13
Applicant: 同济大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/362 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/387 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 本发明涉及一种帐篷型框架结构的石墨烯/FeSn?纳米棒阵列/石墨烯复合材料的合成方法,包括以下步骤:利用水热法,调控表面活性剂用量及前驱物配比,合成了FeSn/rGO晶种,然后,通过种子生长法,获得了FeSn?纳米棒阵列/rGO,最后再通过水热法,在其上面铺展一层石墨烯封顶,形成一种帐篷型的稳定框架结构。与现有技术相比,本发明工艺简单,制备条件温和,产物形貌稳定、纯度高,且产物处理方便简洁,具有很强的通用性,适合于工业生产;原材料易得,不需要催化剂和模板,价格低廉;产物具有较高的充放电性能和循环稳定性的锂电性能,可以作为具有高性能的锂离子负极材料,有广阔的锂电应用前景。
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