公开(公告)号：CN108130512B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201711165986.8

申请日：2017-11-21

Applicant: 同济大学

Inventor： 刘小林 ,  李乾利 ,  顾牡 ,  张娟楠 ,  黄世明 ,  刘思 ,  胡亚华 ,  李锋锐

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C30B7/10 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02 ,  G21K4/00

Abstract: 本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏。与现有技术相比，本发明的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列组分稳定、厚度均匀、无开裂，附着于基底十分牢固，闪烁发光性能优异，制得的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏可应用于高空间分辨率和高时间分辨率数字X射线成像。

公开(公告)号：CN108130512A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711165986.8

申请日：2017-11-21

Applicant: 同济大学

Inventor： 刘小林 ,  李乾利 ,  顾牡 ,  张娟楠 ,  黄世明 ,  刘思 ,  胡亚华 ,  李锋锐

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C30B7/10 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02 ,  G21K4/00

Abstract: 本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏。与现有技术相比，本发明的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列组分稳定、厚度均匀、无开裂，附着于基底十分牢固，闪烁发光性能优异，制得的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏可应用于高空间分辨率和高时间分辨率数字X射线成像。