一种解析反渗透膜面硅铝复合污染层生长过程的方法

    公开(公告)号:CN118594267B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411080215.9

    申请日:2024-08-08

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明公开了解析反渗透膜面硅铝复合污染层生长过程的方法。方法包括以下步骤:首先以通量下降程度为标准,建构不同污染程度的膜;然后分析不同污染程度膜表面的形貌和元素组成变化,初步确认硅铝复合污染层结构的均一性;进而测试硅铝复合污染层截面的高分辨形貌和元素分布,明确硅铝复合污染层组成;最后通过飞行时间二次离子质谱深度剖析,解析不同深度污染层组成元素的化学态,实现污染层的三维重构。基于污染层表面‑截面‑三维重构的分析,可以高效准确地实现反渗透膜面硅铝复合污染层生长过程解析。

    一种解析反渗透膜面硅铝复合污染层生长过程的方法

    公开(公告)号:CN118594267A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202411080215.9

    申请日:2024-08-08

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明公开了解析反渗透膜面硅铝复合污染层生长过程的方法。方法包括以下步骤:首先以通量下降程度为标准,建构不同污染程度的膜;然后分析不同污染程度膜表面的形貌和元素组成变化,初步确认硅铝复合污染层结构的均一性;进而测试硅铝复合污染层截面的高分辨形貌和元素分布,明确硅铝复合污染层组成;最后通过飞行时间二次离子质谱深度剖析,解析不同深度污染层组成元素的化学态,实现污染层的三维重构。基于污染层表面‑截面‑三维重构的分析,可以高效准确地实现反渗透膜面硅铝复合污染层生长过程解析。

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