公开(公告)号：CN102965710A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210454483.3

申请日：2012-11-13

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨修春 ,  王青尧 ,  池丽娜

IPC: C25D11/26

Abstract: 本发明属于纳米材料制备领域，涉及一种银和硫化镉纳米粒子对二氧化钛纳米管数组进行共修饰的方法，包括以下步骤：将高纯钛片超声清洗除油，去除自然氧化膜，进行二次阳极氧化，制备出有序二氧化钛纳米管数组；采用偶联剂处理二氧化钛纳米管数组，并SILAR法沉积Ag纳米粒子并对Ag修饰过的二氧化钛纳米管数组继续进行CdS纳米粒子修饰，制备成Ag和CdS纳米粒子共修饰二氧化钛纳米管数组。本发明操作简单，成本低，通过贵金属与窄能隙半导体纳米粒子对二氧化钛纳米管数组进行共修饰，可以有效地扩展TiO2在可见光区的吸收范围并且降低电子空穴对的复合率，在太阳能电池，有毒有害污染物的降解等方面前景广阔。

公开(公告)号：CN102965645A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210454215.1

申请日：2012-11-13

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨修春 ,  池丽娜 ,  王青尧

IPC: C23C18/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于无机纳米材料领域，涉及一种CdTe和ZnS纳米晶共修饰TiO2纳米管阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）用二次阳极氧化的方法制备出TiO2纳米管阵列；（2）通过连续离子层吸附（SILAR）法在制备好的TiO2纳米管壁上沉积CdTe纳米晶；（3）用相同的方法，即SILAR法在已沉积CdTe的TiO2纳米管壁上包覆ZnS纳米晶，制备CdTe和ZnS纳米晶共修饰的TiO2纳米管阵列。本发明可拓宽TiO2纳米管的吸收光谱至可见光区域并可成功地降低光生电子-空穴对的复合率，成功地提高了TiO2纳米管的光电性能；同时此方法的实验设备简单，操作方便，成本低，具有工业化生产的前景。