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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118390154A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410476313.8
申请日：2024-04-19
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，涉及一种大尺寸晶体的泡生法生长装置及方法，本发明提供的装置采用侧、底双温区独立加热，可精确调控大尺寸氟化钙晶体生长过程中的轴向和径向温度梯度，抑制晶体内部气泡等缺陷，并实现晶体原位退火消除内部应力；保温层内侧有石墨板或石墨桶作为隔离层，有效阻止高温下碳毡挥发物进入晶体内部，保证晶体质量。与现有技术相比，本发明制备的材料具有更大的尺寸、且晶体质量及利用率较高。
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公开(公告)号：CN118407129A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410430572.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及激光材料技术领域，涉及一种Pr3+与调剂离子共掺的碱土氟化物激光晶体及其制备，该晶体的化学式为Pr3+:AeF2·nMeFx，中，Ae包括钙，锶，钡，铅；Me包括钠，钾，钇，镥，钆，镧，钪，镱，0＜n＜1，其中，镨离子Pr3+的掺杂范围为0.3‑3at％，Me离子的掺杂浓度为1‑100at％，x＝1或3。与现有技术相比，本发明具有调控各波段荧光分支比的优点。
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公开(公告)号：CN116791205A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310782026.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种提高Mn4+离子发光性能的共掺杂氧化镓晶体及其制备，该晶体的化学式为β‑(Ga1‑x‑yMnxGey)2O3，0.0001＜x＜0.1，0.0001＜y＜0.1。与现有技术相比，本发明在氧化镓晶体中共掺锰、锗离子，锰离子作为激活离子，锗离子作为晶体场调控离子，获得一种全新的性能优良的激光增益介质，在可调谐激光领域十分具有潜力。
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公开(公告)号：CN119287514A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411339087.5
申请日：2024-09-25
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种铝‑稀土离子共掺氧化镓晶体及其两种制备方法，铝‑稀土离子共掺氧化镓晶体的化学式为β‑(Ga1‑x‑yAlxREy)2O3。其制备方法包括：1)将镓源、铝源、稀土元素源混合，依次经过预烧结、等静压处理、二次烧结，得到铝‑稀土离子共掺的氧化镓多晶陶瓷料棒；2)将所述铝‑稀土离子共掺的氧化镓多晶陶瓷料棒装至光学浮区法单晶炉中在保护气氛下晶体生长，高温退火后得到铝‑稀土离子共掺的氧化镓晶体。与现有技术相比，本发明制备方法与稀土离子共掺Al3+至氧化镓晶体，可有效补偿由于掺杂稀土离子半径较大所导致的晶格畸变效应，提高稀土离子有效掺杂浓度，进而增强稀土荧光效应，共掺Al3+解决了无法在氧化镓晶体中有效掺杂稀土离子，生长大尺寸晶体的问题。
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公开(公告)号：CN118007238A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410260444.2
申请日：2024-03-07
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及光功能晶体技术领域，涉及一种强蓝光吸收的四价锰离子掺杂蓝宝石晶体及其制备，该晶体的化学组成为：(Al1‑x‑y‑zGaxMgyMnz)2O3，其中，0≤x＜0.25，0.0001≤y≤0.01，0.0001≤z≤0.01，本发明通过共掺杂Mg以及氧化气氛中退火处理获得了红光发射较强的四价Mn离子掺杂蓝宝石，并通过共掺杂Ga提高晶体对蓝光的吸收，提高四价锰的发光性能。与现有技术相比，本发明提供的材料具有强蓝光吸收和较强红光发射等优点。
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