公开(公告)号：CN114006559B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202111200812.7

申请日：2021-10-13

Applicant: 同济大学

Inventor： 左曙光 ,  刘畅 ,  胡胜龙 ,  屈盛寒 ,  吴志鹏

IPC: H02P21/14 ,  H02P25/08 ,  H02P25/098 ,  G06F17/16 ,  G06F30/23

Abstract: 本发明涉及一种轴向开关磁阻电机电磁场解析方法及电机优化方法。包括：S1、在柱坐标系下分别建立轴向开关磁阻电机平均半径圆柱面电磁场的转子齿槽域、气隙域和定子齿槽域的矢量磁位复式傅里叶系数方程；S2、求解电机平均半径圆柱面电磁场的矢量磁位以及轴向和切向磁通密度；S3、基于自适应收敛迭代算法对定转子齿部材料的磁导率进行迭代计算，得到考虑磁饱和效应的电机平均半径圆柱面电磁场磁通密度；S4、基于径向修正函数，将电机平均半径圆柱面的电磁场磁通密度解析解拓展求得电机三维空间内的任意一点的轴向与切向磁通密度。与现有技术相比，本发明可以快速而准确地计算考虑磁饱和效应和边缘效应的轴向开关磁阻电机非

公开(公告)号：CN114006559A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111200812.7

申请日：2021-10-13

Applicant: 同济大学

Inventor： 左曙光 ,  刘畅 ,  胡胜龙 ,  屈盛寒 ,  吴志鹏

IPC: H02P21/14 ,  H02P25/08 ,  H02P25/098 ,  G06F17/16 ,  G06F30/23

Abstract: 本发明涉及一种轴向开关磁阻电机电磁场解析方法及电机优化方法。包括：S1、在柱坐标系下分别建立轴向开关磁阻电机平均半径圆柱面电磁场的转子齿槽域、气隙域和定子齿槽域的矢量磁位复式傅里叶系数方程；S2、求解电机平均半径圆柱面电磁场的矢量磁位以及轴向和切向磁通密度；S3、基于自适应收敛迭代算法对定转子齿部材料的磁导率进行迭代计算，得到考虑磁饱和效应的电机平均半径圆柱面电磁场磁通密度；S4、基于径向修正函数，将电机平均半径圆柱面的电磁场磁通密度解析解拓展求得电机三维空间内的任意一点的轴向与切向磁通密度。与现有技术相比，本发明可以快速而准确地计算考虑磁饱和效应和边缘效应的轴向开关磁阻电机非线性电磁场特性。