一种在有序多孔氧化铝模板中制备银纳米线阵列的方法

    公开(公告)号:CN102251232A

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201110200278.X

    申请日:2011-07-18

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明属于纳米材料制备领域,公开了一种在有序多孔氧化铝模板中制备银纳米线阵列的方法,该方法包括以下步骤:(1)将高纯铝片进行退火,超声清洗,去除自然氧化膜,进行电化学抛光,进行二次阳极氧化,去除未氧化的铝基底,通孔,制备出双通的有序多孔氧化铝模板;(2)采用双室化学沉积法,在有序多孔氧化铝模板中填充溴化银纳米线;(3)用紫外灯照射填充溴化银纳米线后的有序多孔氧化铝模板,溴化银发生光解,在有序多孔氧化铝模板中形成银纳米线阵列。本发明方法简化了银纳米线阵列的制备过程,对实验设备要求低,操作简单,成本低,有利于银纳米线阵列在有序多孔氧化铝模板中低成本快速填充。

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