公开(公告)号：CN103159410B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201310081464.5

申请日：2013-03-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 姚斌 ,  龙仕旺 ,  丁战辉 ,  李永峰

IPC: C03C17/22 ,  C03C17/23 ,  C04B41/85

Abstract: 本发明提供的p型硫银共掺氧化锌薄膜的水热制备方法属于光电子半导体和纳米材料领域。以水为溶剂，硝酸锌或醋酸锌或硝酸锌和醋酸锌混合体为锌源，吡啶、正丁胺为碱源，四甲基硫脲为硫源，氯化银或硝酸银为银源，硝酸铵为调节剂，氮气或氩气为填充气；采用中低温水热合成技术，在预先制备有ZnO籽晶层的衬底上外延生长含有Ag和S的ZnO薄膜；然后用去离子水冲洗薄膜表面，并在120℃恒温箱中干燥10min，最终得到具有六方结构并沿c轴高度择优取向的p型硫银共掺氧化锌薄膜。本发明制备工艺简单，制备成本低廉，可重复制备出具有较好晶体质量和电学性能的p型硫银共掺氧化锌薄膜。

公开(公告)号：CN103159410A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310081464.5

申请日：2013-03-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 姚斌 ,  龙仕旺 ,  丁战辉 ,  李永峰

IPC: C03C17/22 ,  C03C17/23 ,  C04B41/85

Abstract: 本发明提供的p型硫银共掺氧化锌薄膜的水热制备方法属于光电子半导体和纳米材料领域。以水为溶剂，硝酸锌或醋酸锌或硝酸锌和醋酸锌混合体为锌源，吡啶、正丁胺为碱源，四甲基硫脲为硫源，氯化银或硝酸银为银源，硝酸铵为调节剂，氮气或氩气为填充气；采用中低温水热合成技术，在预先制备有ZnO籽晶层的衬底上外延生长含有Ag和S的ZnO薄膜；然后用去离子水冲洗薄膜表面，并在120℃恒温箱中干燥10min，最终得到具有六方结构并沿c轴高度择优取向的p型硫银共掺氧化锌薄膜。本发明制备工艺简单，制备成本低廉，可重复制备出具有较好晶体质量和电学性能的p型硫银共掺氧化锌薄膜。