公开(公告)号：CN102646795A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210119123.8

申请日：2012-04-21

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙洪波 ,  冯晶 ,  陈路

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  C03C17/36

Abstract: 本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种基于激光还原图案化石墨烯电极的有机电致发光器件及其制备方法。器件依次由衬底、作为引出电极的具有沟道结构的金电极、搭接在沟道两侧金电极上的微米量级图案化石墨烯电极、有机功能层和阴极组成，微米量级的图案化石墨烯电极采用激逐点扫描的激光直写加工系统制备。得到的石墨烯电极的表面粗糙度较低，表面较平整，基于该电极制备的底发射有机电致发光器件，发光均匀度较高。本发明打破了以往大面积器件的常规思路，将电极的面积缩小至微米量级，并在其中引入图案，使得器件发光的区域为微缩化的图案结构，从而将有机光电器件和激光微纳加工巧妙地结合起来。

公开(公告)号：CN102646795B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210119123.8

申请日：2012-04-21

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙洪波 ,  冯晶 ,  陈路

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  C03C17/36

Abstract: 本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种基于激光还原图案化石墨烯电极的有机电致发光器件及其制备方法。器件依次由衬底、作为引出电极的具有沟道结构的金电极、搭接在沟道两侧金电极上的微米量级图案化石墨烯电极、有机功能层和阴极组成，微米量级的图案化石墨烯电极采用激逐点扫描的激光直写加工系统制备。得到的石墨烯电极的表面粗糙度较低，表面较平整，基于该电极制备的底发射有机电致发光器件，发光均匀度较高。本发明打破了以往大面积器件的常规思路，将电极的面积缩小至微米量级，并在其中引入图案，使得器件发光的区域为微缩化的图案结构，从而将有机光电器件和激光微纳加工巧妙地结合起来。