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公开(公告)号：CN1137398C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02109178.1
申请日：2002-02-07
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明属溶胶凝胶光诱导折射率变化法制作掺锡SiO2/Si基列阵波导光栅的方法。以单晶硅为衬底，在其上顺次生长下包层、波导芯层、上包层；在波导芯层，经调制溶胶—旋涂—烧结—掩膜—光诱导过程制作AWG图形。调制溶胶是将正硅酸乙脂、乙醇、盐酸混合加入含Sn先驱体，经陈化、过滤制得溶胶；将溶胶涂覆在下包层上旋转均匀；烧结温度400℃；光诱导是用紫外光照射掩膜板，使透光部分的含Sn的SiO2膜的折射率发生变化形成波导。本发明的方法容易控制波导芯层的掺杂量及厚度；省去昂贵的反应离子刻蚀设备；光诱导折射率调整幅度大，有良好的可控性，达到较高精度，实现优化设计，成品率高成本降低，适合大批量生产AWG器件。
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公开(公告)号：CN1372150A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02109178.1
申请日：2002-02-07
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明属溶胶凝胶光诱导折射率变化法制作掺锡SiO2/Si基列阵波导光栅的方法。以单晶硅为衬底,在其上顺次生长下包层、波导芯层、上包层;在波导芯层,经调制溶胶—旋涂—烧结—掩膜—光诱导过程制作AWG图形。调制溶胶是将正硅酸乙酯、乙醇、盐酸混合加入含Sn先驱体,经陈化、过滤制得溶胶;将溶胶涂覆在下包层上旋转均匀;烧结温度400℃;光诱导是用紫外光照射掩膜板,使透光部分的含Sn的SiO2膜的折射率发生变化形成波导。本发明的方法容易控制波导芯层的掺杂量及厚度;省去昂贵的反应离子刻蚀设备;光诱导折射率调整幅度大,有良好的可控性,达到较高精度,实现优化设计,成品率高成本降低,适合大批量生产AWG器件。
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公开(公告)号：CN1372149A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02109177.3
申请日：2002-02-07
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明属一种列阵波导光栅(AWG)的紫外写入的制作方法。以单晶硅为衬底(1),用火焰水解法顺次在衬底(1)上淀积SiO2膜材料的下包层2、掺杂GeO2的SiO2膜材料的波导芯层(3)和SiO2膜材料的上包层(4),在高温炉内经1200～1400℃致密化处理,再经注氢—掩膜—辐照的过程。在80～110atm氢气压下掺入H2;再用刻有列阵波导光栅图形的掩膜板(5)掩盖在上包层(4)上;使用准分子激光器的紫外光(6)照射约10分钟,去掉掩膜板(5),得到AWG器件。本发明的方法工艺简化,成品率高,不再使用昂贵的刻蚀设备,降低成本;易于调节中心波长。制作的AWG器件波长响应平坦化;降低串扰。
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