BiAlO3材料高压原位铁电性的测量方法

    公开(公告)号:CN115616320A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211292725.3

    申请日:2022-10-21

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明是一种BiAlO3材料高压原位铁电性的测量方法,在室温条件下,将BiAlO3铁电材料在金刚石对顶砧中先从0GPa加压到6.72GPa,得到电滞回线随压力规律性变化的BiAlO3铁电材料。室温下,利用金刚石对顶砧装置对BiAlO3样品进行加压处理,对不同压力点进行原位高压铁电测试。本发明的技术方案所提出的BiAlO3材料高压原位铁电性的测量方法,得到压力对BiAlO3电滞回线、剩余极化强度、储能效率等的调控作用,这对于拓展BiAlO3的功能特性和应用领域具有重要的意义。

    一种金刚石对顶砧内物质电滞回线测量方法

    公开(公告)号:CN112903752A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110072625.9

    申请日:2021-01-20

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种金刚石对顶砧内物质电滞回线测量方法属于极端条件下物理量测量的技术领域,包括清洗垫片、焊接漆包导线、预压、放置云母片、重新复位等步骤。本发明解决了用金刚石对顶砧装置测量电滞回线的过程中,样品厚度和样品面积无法准确得到,装置样品的绝缘性能无法保证,测试电极布置复杂等因素对测量结果准确性和测试周期的影响问题。测量方法简单易于操作,取材简单,并且综合考虑了影响测量结果的多种问题,从而使得测量结果更加准确的保证了电滞回线各项参数的准确性。

    调控卤化氧铋电学性质的方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117643906A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311632910.7

    申请日:2023-12-01

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明是一种调控卤化氧铋电导率的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制卤化氧铋的电导率。本发明的技术方案所提出的一种调控卤化氧铋电导率的方法,通过压力大小控制,进而控制卤化氧铋的电导率,为卤化氧铋在光电领域的应用指明了新的方向和思路,对于拓展卤化氧铋的功能特性和应用领域具有重要的意义。

    调控四硼酸锂电学参数的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117509659A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311633645.4

    申请日:2023-12-01

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种调控四硼酸锂电学参数的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,将四硼酸锂样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制,调控四硼酸锂的电学参数。本发明的技术方案所提出的一种调控四硼酸锂电学参数的方法,通过压力大小的控制,进而控制四硼酸锂电学参数,为四硼酸锂作为电池正极材料应用提供一个新的方向,对于拓展四硼酸锂的功能特性和应用领域具有重要的意义。

    调控KH2PO4电导率的方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115575454A

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202211163406.2

    申请日:2022-09-23

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种调控KH2PO4电导率的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,将KH2PO4样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制,调控KH2PO4的电导率。本发明的技术方案所提出的一种调控KH2PO4电导率的方法,通过压力大小的控制,进而控制KH2PO4的电导率,为KH2PO4在光电领域的应用指明了新的方向和思路,对于拓展KH2PO4的功能特性和应用领域具有重要的意义。

    调控LiMn2O4电学参数的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115575453A

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202211161834.1

    申请日:2022-09-23

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种调控LiMn2O4电学参数的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,将LiMn2O4样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制,调控LiMn2O4的电学参数。本发明的技术方案所提出的一种调控LiMn2O4电学参数的方法,通过压力大小的控制,进而控制LiMn2O4电学参数,为LiMn2O4作为电池正极材料应用提供一个新的方向,对于拓展LiMn2O4的功能特性和应用领域具有重要的意义。

    一种使KIO3铁电材料获得低介电损耗的方法

    公开(公告)号:CN113697773A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202111023271.5

    申请日:2021-09-02

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种使KIO3铁电材料获得低介电损耗的方法,属于功能材料的技术领域。步骤包括:在室温条件下,将KIO3铁电材料在金刚石对顶砧中先加压至1.9GPa~20.56GPa再卸压至常压,得到介电损耗降低的KIO3铁电材料。本发明提供了一种使KIO3材料获得低介电损耗的新方法,通过压力改善KIO3的介电性,为KIO3材料的应用提供了新的方向和思路。

    一种金刚石对顶砧加热垫片及其制备方法

    公开(公告)号:CN111918424A

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN202010793005.X

    申请日:2020-08-10

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种金刚石对顶砧加热垫片及其制备方法属于极端条件下物理量测量的技术领域。结构为有弯折成U型的金属钢片Ⅰ(1)、云母片Ⅲ(6)、金属铼片(7)、云母片Ⅳ(8)、耐高温绝缘水泥(10)、加热体金属铂(11)、三氧化二铝绝热层(12)、样品腔(13)等。本发明前期投入少,操作简单,实现了实现压腔内部持久而稳定的温度控制、加热时效、以及较高的加热温度极限,实现金刚石压砧较小的传导受热作用,有效的抑制金刚石压砧的氧化破坏。

    调控BiAlO3电导率的方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115629106A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211297162.7

    申请日:2022-10-21

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明是一种调控BiAlO3电导率的方法,在室温条件下,在金刚石对顶砧装置中,样品加入至金刚石对顶砧装置中,利用金刚石对顶砧装置对样品腔内部加压力,通过对施加压力的控制BiAlO3电导率。本发明的技术方案所提出的一种调控BiAlO3电导率的方法,通过压力大小的控制,进而控制BiAlO3的电导率,为BiAlO3在光电领域的应用指明了新的方向和思路,对于拓展BiAlO3的功能特性和应用领域具有重要的意义。

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