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公开(公告)号：CN109360989B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201811450511.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种硫化物量子点掺杂的高性能锂硫电池及其制备方法，属于电极材料制备技术领域，采用调控不同掺杂量的硫化物量子点与碳纳米管复合作为正极材料，得到优异循环稳定性和倍率性能的锂硫电池。量子点具有尺寸可调谐，比表面大，表面官能团丰富，离子与电子传输路径短，以及良好的分散性。将硫化物量子点溶解于有机溶剂中并通过负压搅拌、冷冻干燥的方法与碳纳米管复合得到CNT/CdS‑QDs材料。此材料进行载硫处理后可作为理想的锂硫电池正极材料。尺寸小且均一的CdS量子点会掺入到碳纳米管中空孔道内，形成大小不同的分割空腔，这些空腔有利于正极载硫量的提升。
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公开(公告)号：CN108110123B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711291145.1
申请日：2017-12-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种量子点白光LED及其制备方法，属于半导体照明领域。其是基于电致发光的蓝光LED芯片，在芯片表面依次涂覆发红光的CdSe/CdS/ZnS量子点薄膜层和发绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点薄膜层得到。绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点可通过核掺杂Cu2+和外部ZnS壳层包覆Al3+，提高其光/热稳定性。发红光的CdSe/CdS/ZnS梯度合金量子点则提供多壳层保护，减少表面晶格不匹配带来的缺陷，防止其光退化。分层结构的涂覆方式可明显抑制量子点间的能量传递和重吸收，增加其发光效率。所制备的量子点白光LED适用于要求低色温、高显色指数、高发光效率的场合，尤其适用于对发光稳定性有较高要求的显示、照明领域。
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公开(公告)号：CN109360989A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811450511.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种硫化物量子点掺杂的高性能锂硫电池及其制备方法，属于电极材料制备技术领域，采用调控不同掺杂量的硫化物量子点与碳纳米管复合作为正极材料，得到优异循环稳定性和倍率性能的锂硫电池。量子点具有尺寸可调谐，比表面大，表面官能团丰富，离子与电子传输路径短，以及良好的分散性。将硫化物量子点溶解于有机溶剂中并通过负压搅拌、冷冻干燥的方法与碳纳米管复合得到CNT/CdS-QDs材料。此材料进行载硫处理后可作为理想的锂硫电池正极材料。尺寸小且均一的CdS量子点会掺入到碳纳米管中空孔道内，形成大小不同的分割空腔，这些空腔有利于正极载硫量的提升。
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公开(公告)号：CN108110123A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711291145.1
申请日：2017-12-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/502 , H01L2933/0041
Abstract: 一种高性能量子点白光LED及其制备方法，属于半导体照明领域。其是基于电致发光的蓝光LED芯片，在芯片表面依次涂覆发红光的CdSe/CdS/ZnS量子点薄膜层和发绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点薄膜层得到。绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点可通过核掺杂Cu2+和外部ZnS壳层包覆Al3+，提高其光/热稳定性。发红光的CdSe/CdS/ZnS梯度合金量子点则提供多壳层保护，减少表面晶格不匹配带来的缺陷，防止其光退化。分层结构的涂覆方式可明显抑制量子点间的能量传递和重吸收，增加其发光效率。所制备的量子点白光LED适用于要求低色温、高显色指数、高发光效率的场合，尤其适用于对发光稳定性有较高要求的显示、照明领域。
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