一种带隙可调的镁掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103303970B

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201310259146.3

    申请日:2013-06-26

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明涉及一种带隙受镁杂质浓度调控的铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)薄膜的制备方法,其特征是以氯化镁、醋酸铜、醋酸锌、氯化亚锡、硫脲为原料,利用溶胶凝胶技术制备出镁含量不同的铜锌锡硫薄膜,当镁与锌的比例在0到0.8范围内变化时,对应的带隙可在1.54到1.22 eV之间变化,本方法工艺简单,成本低廉,掺杂元素无毒无害,可用于制备具有不同带隙的铜锌锡硫吸收层的叠层太阳电池。

    一种提高铜锌锡硫薄膜晶粒尺寸和致密度的制备方法

    公开(公告)号:CN103400903A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310355152.9

    申请日:2013-08-15

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明提供一种高致密,大晶粒,四方结构铜锌锡硫薄膜材料的制备方法,属于半导体光电材料和新能源材料领域,其特征是以醋酸铜(Cu(CH3OO)2·H2O)、醋酸锌(Zn(CH3COO)2)、氯化锡(SnCl2)、硫脲(CN2H4S)等四种化合物为原料,利用旋涂法制成铜锌锡硫薄膜后,通过密封石英管高温硫化过程制备出高致密度、结晶质量好的铜锌锡硫薄膜材料,本方法具有制备工艺简单,反应时间短,成分和结构可控,成本低廉,生产过程无污染等优点,可用于大批量铜锌锡硫薄膜光伏电池吸收材料的生产。

    一种带隙可调的镁掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103303970A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310259146.3

    申请日:2013-06-26

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明涉及一种带隙受镁杂质浓度调控的铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)薄膜的制备方法,其特征是以氯化镁、醋酸铜、醋酸锌、氯化亚锡、硫脲为原料,利用溶胶凝胶技术制备出镁含量不同的铜锌锡硫薄膜,当镁与锌的比例在0到0.8范围内变化时,对应的带隙可在1.54到1.22eV之间变化,本方法工艺简单,成本低廉,掺杂元素无毒无害,可用于制备具有不同带隙的铜锌锡硫吸收层的叠层太阳电池。

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